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[学位论文] 作者：任荣康,,
来源：河北大学 年份：2017
ZnS是Ⅱ-Ⅵ族化合物中重要的直接带隙半导体材料,禁带宽度为3.68eV,有α-ZnS纤锌矿和β-ZnS闪锌矿两种相结构。由于其具有良好的热红外透明性、荧光效应和电致发光等特性,在...
[期刊论文] 作者：黄靖, 马小鹤, 任荣康,,
来源：文史哲 年份：1986
一中国是人类文明的发祥地之一。古老的中国文明,对整个人类社会的进步作出了贡献,程度不同地影响着周围国家和地区的历史进程,有时甚至使整个世界的历史为之改观。同时...
[期刊论文] 作者：彭健, 任荣康, 李健宁, 张明举, 牛猛, 马蕾, 闫小兵,
来源：微纳电子技术 年份：2004
为了探究Cl杂质对Cu2O体系的影响机理,采用基于密度泛函理论的第一性原理,通过Cl原子代替O原子建立同等条件下不同浓度的Cu2O1-xClx模型,并对Cu2O的晶体结构进行优化,计算并...
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