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[期刊论文] 作者：刘成, 吴惠桢, 劳燕锋, 李爱珍, 任重桥, 沈文忠,,
来源：光学学报 年份：2006
砷化镓(GaAs)是太赫兹波段半导体异质结构激光器的重要材料之一,为了获得p型GaAs材料在远红外波段的光学特性,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在半绝缘GaAs(100)衬底上生长...
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