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[学位论文] 作者：位晓凤,,
来源：山东师范大学 年份：2012
GaN作为第三代半导体材料的代表，属于宽禁带（室温下Eg=3.39eV）直接跃迁型半导体，它不仅具有稳定的物理和化学性质，而且具有电子漂移速度高、介电常数小、热电性能好、发光效率高、......
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