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[期刊论文] 作者：铃木八十二,佐佐木逸夫,张乃昌,,
来源：国外铀矿地质 年份：1984
CMOS-RAM的特性和应用 CMOS-RAM常温等待时耗电非常小,64K位大容量存贮器最大耗电电流才0.2μA(高温时最大也只有1μA)。这就是说组成存贮器的每个MOS晶体管的泄漏电流小于0...
[期刊论文] 作者：铃木八十二,佐佐木逸夫,滝本一三,张乃昌,,
来源：国外铀矿地质 年份：1985
CMOS-RAM的特性和应用制做存贮器板需注意的问题前面讲了存贮器板的制造,然而这时还要注意: 同TTL逻辑电平的兼容 CMOS-RAM全部与TTL兼容输入,即由于设定高电平输入电压VIH低...
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