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[期刊论文] 作者：余家新,
来源：数字通信世界 年份：2020
随着我国经济的不断发展与进步,科学技术水平也在一定程度上有了飞快的发展。特别是二十一世纪以来,信息技术的发展相当迅速。在各式各样的科学技术中,计算机电子工程技术也...
[学位论文] 作者：余家新,
来源：北京交通大学 年份：2007
以GaAs，InP为主Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料具有很宽的带隙，大都为直接跃迁型能带，光电转换效率较高，以及具有很高的饱和电子漂移速度和迁移率。因此Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体在微电子学......
[期刊论文] 作者：赵明明,吕燕伍,余家新,
来源：物理学报 年份：2004
采用平面波展开的方法计算了三种旋转操作下二维正方晶格各向异性材料(Te)介质柱内空结构光子晶体TE,TM模式能带.讨论了三种旋转操作对TE,TM模式带隙及完全光子禁带的影响.发...
[期刊论文] 作者：赵明明,吕燕伍,余家新,庞许倩,,
来源：物理学报 年份：2008
采用平面波展开的方法计算了三种旋转操作下二维正方晶格各向异性材料(Te)介质柱内空结构光子晶体TE,TM模式能带.讨论了三种旋转操作对TE,TM模式带隙及完全光子禁带的影响.发...
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