搜索筛选:
搜索耗时0.1004秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 4 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：侯佳力,胡毅,贺俊敏,王源,
来源：微电子学 年份：2022
针对高压BCD工艺使用SCR器件ESD保护时面临的高触发电压与低维持电压之间的矛盾,设计了 一种多嵌入阱可控硅(MEWSCR)结构.相比于常规SCR结构,首先,通过移动阳极/阴极的N+/P+掺杂区引入辅助泄放器件,MEWSCR结构实现了二次触发,增加了维持电压;其次,通过在阳极P+......
[期刊论文] 作者：侯佳力, 胡毅, 何洋, 王小曼, 杨小坤,,
来源：电子技术应用 年份：2018
针对工业物联网等应用场景中ADC的供电电压范围宽、功耗要求苛刻等问题,提出了一种配置灵活、低功耗、低噪声的片上基准电压产生电路,为ADC提供与电源无关满量程电压。该电路...
[期刊论文] 作者：何洋,马永旺,侯佳力,王小曼,胡毅,冯曦,唐晓柯,
来源：电子技术应用 年份：2019
针对集成电路SOC芯片对PIN脚资源的限制以及用于敏感信息防护的安全芯片的应用领域,需要使用片上LDO和片上滤波电容的方案来为内核供电。由于LDO的低带宽导致带来相应速度问...
[期刊论文] 作者：胡毅,李振国,侯佳力,国千崧,邓新伟,胡伟波,
来源：半导体技术 年份：2022
为缩短高速模数转换器(ADC)中高位(MSB)电容建立时间以及减小功耗,提出了一种基于分段式电容阵列的改进型逐次逼近型(SAR) ADC结构,通过翻转小电容阵列代替翻转大电容阵列以产生高位数字码,并利用180 nm CMOS工艺实现和验证了此ADC结构.该结构一方面可以缩短产......
相关搜索：
