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[学位论文] 作者：侯斌武,
来源：河北工业大学 年份：2016
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[期刊论文] 作者：侯斌武,赵红东,夏士超,宋晓敏,卢俏,席瑞媛,李梦宇,,
来源：电子器件 年份：2016
通过计算AlGaN/GaN HEMT二维电子气中的电势、载流子以及调制掺杂载流子寿命，得到AlGaN/GaN HEMT电容和充电时间，研究了AlGaN掺杂层浓度和厚度对器件的时间响应，并分析了AlGaN/G...
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