搜索筛选:
搜索耗时0.0952秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 4 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：侯雁楠,
来源：西安工业大学 年份：2023
HgI2是一种半导体材料,呈四面体结构,拥有高电阻率(1014Ω·cm),密度大（6.4g/cm~2）,原子序数高（Hg=80,I=53）,禁带宽度大（2.13e V）,电离效率高（53%）,这些优良性能使得HgI2成为了目前半导体领域优秀的探测器材料。但是,HgI2晶体脆性大,在大气下易挥发,空穴-迁移率低等特征......
[期刊论文] 作者：陈静,许岗,袁昕,杨丛笑,侯雁楠,
来源：西安工业大学学报 年份：2018
为研究碘化汞(HgI2)晶体生长形貌的变化规律,使用Material Studio(MS)软件中的Morphology和Forcite模块计算HgI2晶体的附着能(Eatthkl)明确晶体的生长速率Rhkl.采取封端法辅...
[期刊论文] 作者：侯雁楠,许岗,魏永星,陈静,刘志远,
来源：西安工业大学学报 年份：2019
为探究有机金属卤化物CH3NH3HgI3的结构与光电性能间的内在规律,采用溶剂挥发法以甲基碘化胺(CH3NH3I)和碘化汞(HgI2)为反应物,以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂合成CH3NH3HgI3...
[期刊论文] 作者：许岗,张改,杨丛笑,陈静,侯雁楠,李俊英,谷智,
来源：无机化学学报 年份：2019
在HgI2-HI-H2O溶液体系中,采用静电场诱导技术生长了HgI2晶体。利用紫外-可见光谱分析了溶液中分子/离子的存在形式;通过改变电场强度和溶液浓度等因素,得到了不同形貌的HgI2...
相关搜索：
