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[期刊论文] 作者：周映雪,俞根才,吴志浩,张新夷,
来源：发光学报 年份：2004
利用分子束外延(MBE)和氧等离子体源辅助MBE方法分别在Si(100)、GaAs(100)和蓝宝石Al2O3(0001)衬底上用Zn、ZnS或以一定Zn-O化学计量比作缓冲层,改变衬底生长温度和氧压,并在...
[期刊论文] 作者：盛传祥,王兴军,俞根才,黄大鸣,
来源：半导体学报 年份：2000
采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品...
[期刊论文] 作者：史向华, 王兴军, 俞根才, 侯晓远,,
来源：光学学报 年份：2004
用分子束外延 (MBE)技术 ,在GaAa( 10 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 45 μm到 1.4μm的ZnSe薄膜。通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子 (Longitudinal opticalphonon)...
[期刊论文] 作者：吴志浩,周映雪,韦世强,陈栋梁,俞根才,张新夷,
来源：核技术 年份：2004
利用同步辐射广延X射线吸收精细结构(EXAFS),研究在不同条件下分子束外延制备的ZnO薄膜,如分别在蓝宝石(0001)、Si(100)衬底上,生长温度为200℃或300℃下得到样品的局域结构....
[期刊论文] 作者：周映雪,史向华,俞根才,张新夷,阎文胜,韦世强,谢亚宁,
来源：核技术 年份：2003
用分子束外延(MBE)和氧气氛方法,并改变束源炉和衬底生长温度,在Si(100)衬底上,采用Zn作缓冲层以解决ZnO层与衬底间的晶格失配问题,生长得到ZnO薄膜.在ZnO/Zn/Si(100)薄膜样...
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