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[期刊论文] 作者：倪卫新,,
来源：科技创新导报 年份：2015
把光在不同界面处所发生的垂直于光线以及介质变化方向的横向效应称为光霍尔效应。关于它的现象和理论研究早已见文章报道。但对于它的实验研究及其解释还是最近几年的事。该...
[期刊论文] 作者：倪卫新,,
来源：教育教学论坛 年份：2013
拓展教育是基础教育的一种延伸和扩展。从形式上而言，拓展教育更注重教学的实践性和创新性。由于拓展教育的特质，受到各专业课程教师的越来越多的关注。本文先以直观简洁的语言......
[期刊论文] 作者：倪卫新,
来源：科技创新导报 年份：2013
摘 要：该文简要地阐述了对成功教育特别是面对大众的成功教育的一些看法，并且结合作者在大学物理教学中的成功教育实践，指出了实施成功教育的重要性和必要性。 关键词：成功教育 大众化教育 创新教育 中图分类号：G4 文献标识码：A 文章编号：1674-098X（2013）03（c）-0-01......
[期刊论文] 作者：倪卫新,,
来源：上海理工大学学报（社会科学版） 年份：2010
本文结合上海理工大学大学物理教学网站的建设目标以及实践，简要叙述了建设大学物理网站的必要性和重要性。并提出了搞好网站建设促进创新教育的展望。...
[期刊论文] 作者：倪卫新,
来源：世界科学 年份：1994
侵权─计算机通讯的新问题ＨｅｒｂＢｒｏｄｙ著倪卫新译宪法所赋予的言论自由和个人隐私权要进入电子通讯的领域吗？当这个问题真的发生以前，我们必须尽早作出抉择。一、一个二难的问题在焦虑紧张......
[会议论文] 作者：倪卫新;,
来源：中国科学技术协会第二届青年学术年会(材料科学技术) 年份：1995
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[期刊论文] 作者：倪卫新,
来源：世界科学 年份：1995
寻找石油ＳｃｏｔｔＰｅｎｄｌｅｔｏｎ著倪卫新译一片蓝色的旋涡缀着粉红色的星星点点，给人的印象似乎仅仅是一幅抽象派艺术的绘画而已。但它实际上是用三维地震波技术［（Ｔｈｒｅｅ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｓｅｉｓｍｉｃｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）－３Ｄ技术］描绘而就...Looking for Oil S......
[期刊论文] 作者：倪卫新, 孙凯,,
来源：上海理工大学学报 年份：2017
磁场的高斯定律从形式上指出了宏观磁场的无源性质,因此可以利用高斯积分是否为零作为判断磁单极子是否存在的形式判据.根据高等量子力学的理论,借助贝瑞相的存在,从形式上找...
[期刊论文] 作者：倪卫新,Brody,H,
来源：世界科学 年份：1994
侵权─计算机通讯的新问题ＨｅｒｂＢｒｏｄｙ著倪卫新译宪法所赋予的言论自由和个人隐私权要进入电子通讯的领域吗？当这个问题真的发生以前，我们必须尽早作出抉择。一、一个二难的问题在焦虑紧张......
[期刊论文] 作者：Pendl.,S,倪卫新,
来源：世界科学 年份：1995
寻找石油ＳｃｏｔｔＰｅｎｄｌｅｔｏｎ著倪卫新译一片蓝色的旋涡缀着粉红色的星星点点，给人的印象似乎仅仅是一幅抽象派艺术的绘画而已。但它实际上是用三维地震波技术［（Ｔｈｒｅｅ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｓｅｉｓｍｉｃｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）－３Ｄ技术］描绘而就.........
[会议论文] 作者：倪卫新,顾铮天,
来源：2013高等院校教育与教学研讨会 年份：2013
文章通过对一道关于轨道角动量的量子力学习题的题意分析，分别从新旧两种量子论的立场对角动量概念展开了讨论。并通过分析比较指出了新旧量子论对于轨道的认识有本质的差......
[期刊论文] 作者：倪卫新, 顾铮天, 皇甫泉生,,
来源：物理与工程 年份：2014
本文以德国卡尔斯鲁尔物理课程(KPK)所提出的能量概念为线索,简要地探讨了宇宙和天体、一般物理化学生物过程以及化学反应过程中的某些能量守恒问题。作者希望通过简单对比,...
[期刊论文] 作者：姜志进,王增伟,倪卫新,
来源：西南大学学报：自然科学版 年份：2008
从u，d夸克的同位旋波函数出发，利用李群不可约表示权的性质，导出了介子的味道波函数，给出了介子填充的SU（3）与SU（4）味群不可约表示的权图。...
[期刊论文] 作者：姜志进,王增伟,倪卫新,
来源：西南大学学报：自然科学版 年份：2008
从u，d夸克的同位旋波函数出发，利用李群不可约表示权的性质，导出了重子的味道波函数，给出了重子填充的SU（3）与SU（4）味群不可约表示的权图。...
[期刊论文] 作者：姜志进,王增伟,倪卫新,
来源：西南大学学报（自然科学版） 年份：2004
从u,d夸克的同位旋波函数出发, 利用李群不可约表示权的性质, 导出了介子的味道波函数, 给出了介子填充的SU(3)与SU(4)味群不可约表示的权图....
[期刊论文] 作者：张时明,邹德恕,陈建新,高国,杜金玉,韩金茹,董欣,袁颍,王东凤,沈光地,倪卫新,汉森,
来源：北京工业大学学报 年份：1996
应用＂掺杂工程＂和＂带隙工程＂各自的特点，设计了一种独特的基区双向高速输运的ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ层结构，并利用此结构在３μｍ工艺线上做出了性能良好的ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ。其主要直流参数为：室温共发射极最大电流增益β......
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