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[学位论文] 作者：冯泉林,
来源：北京有色金属研究总院 年份：2005
300mm大直径硅片要求双面抛光，以获得满足集成电路制造要求所需要的平整度。双面抛光工艺的引入使得传统外吸杂工艺面临淘汰，内吸杂工艺将成为300mm大直径硅片制造中常用的吸杂......
[会议论文] 作者：冯泉林, 王敬, 周旗钢,,
来源： 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：冯泉林,申屠步生,周可梁,
来源：中国供销合作经济 年份：1999
１９９９年１月下旬，我们作为浙江省供销考察团成员，对日本枥木县农协进行了为期七天的访问考察。日本农协是一个为农业、农村和农户提供农产品收购，生活、生产资料供应，金融信贷，社会保险，运......
[期刊论文] 作者：冯泉林,何自强,常青,周旗钢,
来源：半导体学报 年份：2008
研究了N2和N2／NH3混合气两种不同气氛快速退火处理硅片对洁净区和氧沉淀分布的影响．研究发现：N2／NH3混合气氛处理的硅片在后序热处理中表层形成很薄的洁净区同时体内形成高密度的......
[期刊论文] 作者：申屠步生,周可梁,冯泉林,
来源：商业经济与管理 年份：1999
根据浙江省与日本枥木县友好交流计划，浙江省供销考察团于１９９９年１月１８日至２４日，对日本枥木县农协进行了访问考察。考察时间虽短，但所见所闻，对我省供销社进一步深化改革，加强为农服务很有借......
[期刊论文] 作者：冯泉林,何自强,常青,周旗钢,,
来源：半导体学报 年份：2008
研究了N2和N2/NH3混合气两种不同气氛快速退火处理硅片对洁净区和氧沉淀分布的影响.研究发现:N2/NH3混合气氛处理的硅片在后序热处理中表层形成很薄的洁净区同时体内形成高密...
[期刊论文] 作者：冯泉林,王敬,何自强,常青,周旗钢,,
来源：微电子学 年份：2008
使用N2和N2／NH3混合气氛作为快速热退火（RTA）气氛，研究了RTA气氛对洁净区、氧沉淀和硅片表面形貌的影响。在N2／NH3混合气氛下，RTA处理后，硅片表面出现小坑，同时，微粗糙度增加，后续热处......
[期刊论文] 作者：冯泉林,周旗钢,王敬,刘斌,刘佐星,,
来源：稀有金属 年份：2005
快速退火(RTA)单晶硅片时,硅片内部会形成一种特殊的空位分布.空位的分布将决定后序两步退火(800℃,4h+1000℃,16h)后生成的洁净区宽度和氧沉淀密度.研究了N2气氛下,不同RTA...
[期刊论文] 作者：李宗峰,周旗钢,何自强,冯泉林,杜娟,刘斌,
来源：稀有金属 年份：2004
研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用.分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度...
[期刊论文] 作者：冯泉林, 史训达, 刘斌, 刘佐星, 王敬, 周旗钢,,
来源：半导体学报 年份：2006
300mm硅片中厚度合适的洁净区和高密度氧沉淀,有利于对器件有源区金属沾污的吸除,改善栅氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NH3混合气作为快速退火(RTA)气氛,研究RTA气氛对洁净区...
[期刊论文] 作者：刘大力, 冯泉林, 周旗钢, 何自强, 常麟, 闫志瑞,,
来源：稀有金属 年份：2004
研究了不同拉晶速率对300 mm硅外延片表面缺陷的影响,SP1(表面激光颗粒扫描仪)测试结果表明:较低的拉晶速率下,外延片表面出现环状颗粒缺陷分布带;较高的拉晶速率下,外延片表...
[期刊论文] 作者：葛钟, 闫志瑞, 库黎明, 陈海滨, 冯泉林, 张国栋, 盛方毓,
来源：半导体技术 年份：2008
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[期刊论文] 作者：葛钟,闫志瑞,库黎明,陈海滨,冯泉林,张国栋,盛方毓,索思卓,,
来源：半导体技术 年份：2008
在直径300mm Si片制备过程中,利用双面磨削技术能获得高精度的表面参数,但同时却会在Si片表面留下明显的磨削印痕,这会影响Si片表面平整度。通过选择#2000和#3000砂轮对Si片...
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