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[学位论文] 作者：冯雨心,
来源：浙江大学 年份：2023
随着碳化硅器件成本的降低和技术的提升,SiC MOSFET有望取代Si IGBT,成为新一代主流大功率器件。由于SiC MOSFET的短路电流上升速度快、峰值大,短路承受时间远低于Si IGBT,且过流时门极容易老化,SiC MOSFET要求更为快速可靠的短路及过流保护。本文提出了一种基......
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