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[期刊论文] 作者：刁华彬, 杨凯, 赵超, 罗军,,
来源：微纳电子技术 年份：2004
Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注...
[期刊论文] 作者：杨凯, 刁华彬, 赵超, 罗军,,
来源：微纳电子技术 年份：2004
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