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[会议论文] 作者：刘六亭,蔡勇,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
该文从实际工艺出发，探讨了Ｌ波段２２０Ｗ大功率管的设计与实验结果。总结了影响大功率管输出特性的因素，实现了１．３ＧＨｚ下５胞匹配输出２０３Ｗ（１０μｓ）的阶段性成果。......
[会议论文] 作者：谭卫东,刘六亭,马林宝,陆春一,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
硅外延过程中常引入各种宏观和微观缺陷.本文以4英寸硅片为研究对象,探讨了外延层缺陷的形态、成因及其减少的方法....
[期刊论文] 作者：李哲洋,刘六亭,董逊,张岚,许晓军,柏松,
来源：电子工业专用设备 年份：2005
从实验出发,用LPCVD外延系统在偏向方向8°的4H-SiC(0001)Si面衬底上,利用CVD技术进行了4H-SiC同质外延生长.外延后在熔融KOH腐蚀液中进行腐蚀,使用SEM和光学显微...
[会议论文] 作者：谭卫东,陆春一,骆红,刘六亭,马林宝,马利行,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文介绍了采用常压方式外延的方法,在3英寸重掺砷衬底上生长出了电阻率＞80Ωcm,厚度＞30μm的高质量硅外延层,从而使器件获得较为理想的结果,顺利通过设计定型....
[会议论文] 作者：谭卫东,刘六亭,骆红,马林宝,陆春一,马利行,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文讨论了影响P/P高阻厚层硅外延片外延层电阻率稳定控制的主要因素,采取立式常压外延,利用背面封闭技术,充分抑制了高温状态下低阻重掺硼衬底的杂质自掺杂效应,使得外延层...
[期刊论文] 作者：汪浩,柏松,陈刚,李哲洋,刘六亭,陈雪兰,邵凯,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
采用本实验室生长的4H-SiC外延片,分别用高真空电子束蒸Ni和Ti做肖特基接触金属,Ni合金作欧姆接触,SiO2绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术,制作出4H-SiC肖特基势垒二极管...
[期刊论文] 作者：谭卫东,张纪生,王志楠,张树丹,王因生,郑承志,刘六亭,康小虎,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
Ｌ波段１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管谭卫东，张纪生，王志楠，张树丹，王因生，郑承志，刘六亭，康小虎（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａｎ１５０ＷＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＴａｎＷｅｉｄｏｎｇ；Ｚｈ...L Band 150W Silicon Pulse Power Transistor Tan Weidong; Zhang Jisheng......
[期刊论文] 作者：张树丹,王因生,李相光,陈统华,谭卫东,郑承志,刘六亭,陈培棣,
来源：半导体学报 年份：1995
本文报道了一种自对准Ｔ形电极结构的硅双极晶体管的制作和实验结果．这种结构的晶体管发射极和基极接触窗口的间距仅０．４μｍ，发射极排列周期为４μｍ．测试结果表明，晶体管在４．２ＧＨｚ下，连续波输出功率......
[期刊论文] 作者：王因生,陈正东,张树丹,谭卫东,郑承志,刘六亭,康小虎,周德红,陈统华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
６００ＭＨｚ１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管王因生，陈正东，张树丹，谭卫东，郑承志，刘六亭，康小虎，周德红，陈统华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａ６００ＭＨｚ１５０ＷＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...600MHz150W Silicon Pulse Power Transistor Wang Yinheng, Chen Zhengd......
[期刊论文] 作者：谭卫东,张纪生,熊承堃,王因生,张树丹,刘六亭,郑承志,陈统华,陈正东,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
南京电器件研究所采用φ75mm硅片研制成脉冲输出100W的L波段硅功率晶体管，Nanjing Institute of electrical devices using φ75mm silicon developed into a pulse output...
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