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[期刊论文] 作者：刘宗穆,,
来源：半导体情报 年份：2004
用分子束外延技术试制成两种和以往的汽相外延法具有同样特性的砷化镓场效应晶体管(GaAsFET)。一种是频率为8千兆赫的最小噪声系数为2.5分贝的器件,另一种是8千兆赫下最大饱...
[期刊论文] 作者：P.C.Chao,刘宗穆,,
来源：半导体情报 年份：1984
本文比较了栅长为0.25μm,沟道长度(即源一漏间距)为2.1μm和0.5μm的GaAsMESFET的电性能。实验发现极短的沟道长度导致电子平均漂移速度、跨导和正向转换增益明显地增加。当...
[期刊论文] 作者：G.Blasquez,刘宗穆,,
来源：半导体情报 年份：2004
本文介绍的矩形双极晶体管噪声的精确分析是应用集合近似法(col-lective approach)和输运噪声理论的分析模型推导出来的。在此模型中,考虑了发射极电流集边效应,并精确地描述...
[期刊论文] 作者：A.M.Voshchenkov,刘宗穆,,
来源：半导体情报 年份：2004
采用了基于光谱整形的窄曝光波段(305～355nm)新颖曝光技术以获得可与正胶曝光波长相比的分辨率。在直径50mm的氧化硅衬底上用AZ2415抗蚀剂应用真空接触方式复印出条宽0.2μm总...
[期刊论文] 作者：A.A.Kal'fa,刘宗穆,,
来源：半导体情报 年份：1987
为了用计算机模拟亚微米肖特基势垒栅场效应晶体管,推导出一个准二维模型。该模型用准二维近似,以连续性方程、平均电子速度和能量恒定方程以及泊松方程的联立解为依据。提供...
[期刊论文] 作者：Chen,刘宗穆,,
来源：半导体情报 年份：2004
众所周知,GaAsMESFET的跨导压缩现象与栅金属、制作工艺和栅长有关。认为这种现象是由栅和漏之间裸露表面下的耗尽区引起的。基于此假设,提出了一种可以圆满地解释0.25μm栅...
[期刊论文] 作者：郭文椹,王晓钧,刘宗穆,袁明文,
来源：半导体情报 年份：1995
采用分布电路原理、ＣＡＤ技术和微带电路技术，制作出多倍频程超宽带放大器。其主要技术参数为，ｆ＝２～１８ＧＨｚ，Ｇ＿ｐ≥３０ｄＢ，△Ｇ＿ｐ≤±３ｄＢ，Ｆ＿ｎ≤７ｄＢｍ，Ｐ＿（－１）≥＋１０ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．５：１。......
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