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[期刊论文] 作者：刘昌第,
来源：微电子学 年份：1996
由于种种原因，前苏联在微电子技术方面的情况，一直被一层厚厚的面纱掩盖着。９０年代初期苏联的解体，为我们了解前苏联在微电子技术方面的发展情况提供了一个有利的机会。本文较全面......
[期刊论文] 作者：F.Y.Robb,刘昌第,
来源：微电子学 年份：1985
如果低电阻率的硅钛栅被用于按比例缩小的MOS器件,硅化钛的各向异性腐蚀是必要的。CCl_4、CF_4等离子体以及离子铣都可用来腐蚀硅化钛/多晶硅复合膜,每一种方法都表现于一些...
[期刊论文] 作者：William M.Miller,刘昌第,
来源：微电子学 年份：1988
我们已经研究和验证了一种测试绝缘体上硅(SOI)材料界面的辐射响应技术,它采用全SOI结构和深腐蚀SOI结构电容电压(C-V)曲线数据叠合法得到三个界面各自的C-V曲线。根据这些C-...
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