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[期刊论文] 作者：周春锋,杨连生,刘晏凤,,
来源：半导体技术 年份：2009
利用As、Ga、GaAs的性质，开发出一种新的GaAs多晶合成方法。开展了Φ130mm合成系统的温度、压力优化实验。采用石墨盖代替BN坩埚盖，开发了100mm新合成石墨系统，通过工艺实验确定...
[期刊论文] 作者：周春锋,杨连生,刘晏凤,李延强,杜颖,,
来源：半导体技术 年份：2010
研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力。掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表面产生位错,开发了全液封切克劳斯基(FEC)晶...
[期刊论文] 作者：赖占平,齐德格,高瑞良,杜庚娜,刘晏凤,刘建宁,
来源：人工晶体学报 年份：2000
高度PLmapping均匀的SI GaAs单晶抛光片是制作大功率微波器件和大规模超高速数字集成电路的理想衬底。本工作对影响SI GaAs单晶抛光片均匀性的各种因素进行了研究。发现位错...
[会议论文] 作者：高瑞良, 赖占平, 齐德格, 周春锋, 刘晏凤, 杨连生,,
来源： 年份：2004
本文对6英寸砷化镓单晶材料研制项目的进展情况及研制过程中解决的关键技术做了比较全面的说明,文中还提出了实现6英寸砷化镓材料的产业化的主攻方向和目前存在的一些技术问...
[期刊论文] 作者：赖占平,齐德格,高瑞良,杜庚娜,刘晏凤,刘建宁,
来源：半导体学报 年份：1999
研究了ＨＰＬＥＣ工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中，熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响．由Ｎ 型半绝缘晶体的补偿机理对实验现象进行了解释，给出......
[期刊论文] 作者：赖占平,齐德格,高瑞良,杜庚娜,刘晏凤,周春锋,高峰,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
采用高压LEC工艺生长 3inch掺SiGaAs单晶 ,掺杂浓度大于 1× 1 0 18 cm3,晶体位错密度小于 1× 1 0 4 cm2 。实验发现 ,采用PBN坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂 ,固液...
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