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[期刊论文] 作者：何宇亮,刘湘娜,,
来源：贵金属 年份：1981
作者选取在非晶硅晶化温度附近(550～800℃)用控制生长温度的办法制备出具有不同晶粒大小的多晶与非晶硅薄膜.在100～700K温度范围内测量了直流电导率随温度的变化.随着晶粒尺度...
[期刊论文] 作者：何宇亮,刘湘娜,
来源：电子学报 年份：1982
本文采用TED、SEM和X光谱分析法研究了在550～750℃范围内用常压CVD法生长非晶硅薄膜的晶化和结构特性。指出了CVD非晶硅的晶化温度是680±10℃。在晶化温度以下的温度范围内,...
[期刊论文] 作者：何宇亮, 刘湘娜,
来源：自然杂志 年份：1981
＜正＞ 对非晶态半导体的研究,近些年来在国内外受到了相当大的重视。大量的实验事实指出,非晶薄膜结构以及它们的基本性能与生长方法和工艺条件是密切相关的。实验曾指出,不论α-Si:H合金膜还是α-Si:F:H合金膜,......
[期刊论文] 作者：刘湘娜,何宇亮,鲍希茂,徐刚毅,眭云霞,,
来源：物理学报 年份：2001
研究了掺杂纳米硅薄膜(nc-：Si：H)中的电子自旋共振(ESR)及与之相关的缺陷态。样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成，为两相结构，即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中。对掺磷的nc-......
[期刊论文] 作者：何宇亮, 周衡南, 刘湘娜, 程光煦, 余是东,,
来源：物理学报 年份：2004
使用X射线衍射技术和高分辨率电子显微镜(HREM),分析研究了在非晶硅薄膜由非晶相向微晶相转化过程中其网络结构的变化特征,由此,给人们一个直观的信息,并加深对非晶硅薄膜微...
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