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[期刊论文] 作者：刘百勇,,
来源：中国现代药物应用 年份：2008
乳腺癌是妇女的常见病多发病，在我国占全身各种恶性肿瘤的7％～10％，近年并有不断增多的趋势。其治疗方法仍以手术切除为主，而手术切除肿瘤的同时亦破坏了患者的肌体形态的完美。如不......
[期刊论文] 作者：刘百勇,
来源：数码设计（上） 年份：2021
随着社会的快速发展,科学技术的不断创新,机电一体化的技术正在被各个生产领域大规模的使用,也得到了各方面的重视.本文重点介绍了机电一体化技术的发展现状及前景....
[期刊论文] 作者：叶昭,刘百勇,
来源：电子质量 年份：1998
介绍了一种把数据采集系统与微机控制处理结合起采的微机监测系统,该系统通过对电信号的测量,可监测电子产品的质置。...
[会议论文] 作者：吴朝晖,刘百勇,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[期刊论文] 作者：刘百勇,郑学仁,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1995
提出一种结构新颖的硅扩展电阻温度传感器，这种传感器与硅平面加工技术兼容，易于集成化，当传感器在２ｍＡ的正向偏置电流下，由于少数载流子的不连纽性以及多数载流子的注入，传感器电阻的......
[期刊论文] 作者：郑学仁,刘百勇,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1995
阐述了一种结构特点的硅扩展工元件的温度敏感原理，提出了物理模型?探讨了其工作温区拓宽机理。对器件的结构、材料、工艺参数对阻温特性的影响进行了计算机模拟分析及实验研......
[期刊论文] 作者：杨炳良,刘百勇,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1995
研究了温度从１００－４２３Ｋ范围内在薄氮氧化硅膜和薄二氧化硅膜中的高场电子陷阱的温度依赖性。我们发现：在研究的温度范围内，当温度降低时，薄氮氧化硅膜中的有效高场电子陷阱表面浓度增加，相......
[期刊论文] 作者：郑学仁,刘百勇,
来源：半导体技术 年份：1998
剖析了ＳＱＤ５０ＡＢ１００型ＧＴＲ功率模块的失效情况，分析了其二次击穿失效机理及引起失交的器件内部和外部原因，设计了一种快速有铲的ＧＴＲ过流保护电路。该电路使用效果显著，且自成单元，可灵活应用于各种场......
[会议论文] 作者：刘百勇,郑学仁,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[期刊论文] 作者：刘百勇,曾绍洪,
来源：华南工学院学报(自然科学版) 年份：1987
1.一般介绍由于集成电路在控制系统中的应用日益增长,极大地刺激电子传感器的迅速发展.近年来电子敏感器件的研制进展非常迅速,半导体传感器便是其中一类相当引人注目的电子...
[期刊论文] 作者：杨德利,刘百勇,等,
来源：传感器技术 年份：2000
确定合适的隶属函数对模糊控制效果有重要影响，是应用模糊控制的基础，也是难点之一。作者应用遗传算法对模糊温度传感器信号处理过程中的隶属函数进行选择，阐述了基本原理和具体......
[期刊论文] 作者：郑学仁,李斌,刘百勇,
来源：半导体技术 年份：1997
用聚酰亚胺（ＰＩ）垫高ＰＶＤＦ－ＭＯＳＦＥＴ超声传感器的扩展栅电极，当ＰＩ厚度大于５μｍ时，扩展栅电容减少到原来的１／６以下，传感器的灵敏度可提高１１．３ｄＢ。讨论了ＰＩ工艺膜的制备和亚胺化温度对ＰＩ膜厚和介电系数的影响。With p......
[期刊论文] 作者：罗南林,杨春晖,刘百勇,
来源：半导体技术 年份：1998
对非超高真空条件下对在有ＳｉＯ２图形的硅单晶衬底上用离子束溅射沉积非晶硅薄膜，经过真空退火形成的横向固相外延生长及其影响因素进行了研究，得出了有利于Ｌ－ＳＰＥ生长的材料参数和工艺处理......
[期刊论文] 作者：龚雪皓,郑学仁,刘百勇,
来源：微电子学 年份：2000
在“片上系统”等高复杂度的芯片设计中 ,典型的知识产权产品——芯核的应用以及设计复用技术越来越成为流行的关键设计技术。文中全面地介绍了芯核的含义、选用原则、基于芯...
[期刊论文] 作者：郑学仁,吴朝晖,刘百勇,
来源：微电子学 年份：1999
介绍了用于宽带快速信息传输系统的半导体瞬态浪涌保护器件（ＳＳＰＤ）在小的器件面积和小的器件电容情况下，提高ＳＳＰＤ浪涌吸收能力的工艺方法。理论分析和实验结果都说明，关键是减少基区总宽度......
[期刊论文] 作者：杨春晖,罗南林,刘百勇,
来源：电子质量 年份：1997
介绍了SRT传感器的工作原理、结构特点封装技术及其广阔的应用前景。The working principle of SRT sensor, the package technology of structure and its broad applicat...
[会议论文] 作者：杨春晖,罗南林,刘百勇,
来源：第五届全国敏感元件与传感器学术会议 年份：1997
该文基于磷化氢与氯化汞的化学反应及溶液的电化学机理，设计了一种新型的磷化氢浓度传感器，并理论推导了该传感器灵敏度的计算公式，分析了影响灵敏度的因素，在实验的基础上，确定了......
[期刊论文] 作者：杨春晖,罗南林,刘百勇,
来源：仪表技术与传感器 年份：1998
本文基于磷化氢与氯化汞的化学反应及溶液的电化学原理，定量研究了磷化氢浓度与该溶液电导率变化量之间的关系，并将其应用到磷化氢浓度传感器上，得出该传感器灵敏度的计算公式。......
[期刊论文] 作者：陈蒲生,杨光有,刘百勇,
来源：半导体学报 年份：1990
本文采用雪崩热电子注入技术研究了快速热氯化SiO_2膜和氮化后再氧化SiO_2膜的体电子陷阱和界面态特性。揭示出电子陷阱的起源和放电机理;观察并解释了界面态密度随氮化时间...
[期刊论文] 作者：李观启,黄美浅,刘百勇,
来源：半导体技术 年份：1990
本文提出了一种低分压的湿-干氧氧化方法。利用该方法生长的薄氧化膜,具有比干氧氧化低的缺陷密度和优越的电击穿特性,而且固定电荷密度基本不变或稍有降低。实验结果表明,在...
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