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[期刊论文] 作者：李中江,夏俊峰,刘美溶,薛发龙,
来源：半导体技术 年份：1989
高压功率VDMOS场效应晶体管在国内尚属开发新产品.本文就高压功率VDMOS场效应晶体管的版图设计考虑作一介绍.实际设计了耐压450伏、电流容量为5安培的VDMOS场效应晶体管版图....
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