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[学位论文] 作者：刘蓉容,,
来源：国防科学技术大学 年份：2016
在航天领域,单粒子瞬态效应(SET)是空间工作的集成电路不可避免的可靠性问题。集成电路工艺的缩减导致工作电压降低、工作频率升高,导致单粒子瞬态效应更加严重。本文探讨了...
[学位论文] 作者：刘蓉容,
来源：华东政法大学 年份：2018
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[期刊论文] 作者：魏军辉,刘蓉容,,
来源：岭南急诊医学杂志 年份：2017
目的:总结颅脑损伤院前急救处理的正确方法。方法:对275例颅脑损伤患者院前急救病例进行回顾性分析。结果:全组颅脑损伤患者经现场及时判断与积极处理后送回本医院就诊,无一...
[期刊论文] 作者：池雅庆,刘蓉容,陈建军,,
来源：计算机工程与科学 年份：2014
针对标准体硅在CMOS和PD SOI CMOS两种工艺下的nMOSFETs,研究了沟道长度和宽度缩减对热载流子效应的影响.实验结果表明,在两种工艺下,热载流子的退化均随着沟道长度的减小而...
[期刊论文] 作者：王芙蓉, 何艳红, 刘蓉容,
来源：中国临床心理学杂志 年份：2023
人工智能正在加速世界军事变革进程，给军队作战样式、武器装备和战斗力生成带来根本性变化。如何运用人工智能创新军人心理服务方法与技术，以最大限度减少心理损伤减员，成为近年研究热点。本文从军人心理评估与选拔、军人心理预警、军事心理训练和军人心理干预四个......
[期刊论文] 作者：刘蓉容, 池雅庆, 窦强,,
来源：计算机工程与科学 年份：2017
使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N+-N结、P+-P结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压温度变化下结深对晶体管单粒子瞬态的影响程...
[期刊论文] 作者：刘征,陈书明,陈建军,秦军瑞,刘蓉容,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
Using three-dimensional technology computer-aided design (TCAD) simulation, parasitic bipolar amplification in a single event transient (SET) current of a singl...
[期刊论文] 作者：刘蓉容,池雅庆,何益百,窦强,,
来源：计算机工程与科学 年份：2015
使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响。结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触面积会导致SET脉冲变宽,这与传统的通过增加...
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