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[期刊论文] 作者：田飞飞,吴郁,胡冬青,刘钺杨,,
来源：现代电子技术 年份：2011
针对标准MOSFET的BSIM4模型在高压LDMOS建模及已有LDMOS紧凑模型的不足，提出一种LDMOS宏模型。在本研究中，借助Spectre软件分别对宏模型与BSIM4器件模型进行仿真，并对2种LDMOS器...
[期刊论文] 作者：刘钺杨,金锐,赵哿,于坤山,,
来源：半导体技术 年份：2013
绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有驱动简单、易于并联的优点,在高端领域得到广泛应用。以1 200 V非穿通型IGBT(NPT-IGBT)为例,仿真研究IGBT的器件结构对瞬态特性的影响(主要是开关...
[期刊论文] 作者：赵哿,刘钺杨,韩荣刚,金锐,于坤山,,
来源：智能电网 年份：2013
介绍绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistors,IGBT)与快恢复二极管(fast recovery diode,FRD)匹配技术的特点和优势、应用前景及发展趋势。为更好地研究IGBT...
[期刊论文] 作者：高明超,刘钺杨,刘江,赵哿,金锐,于坤山,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
基于现有工艺平台设计一个多级场板终端结构:在有源区最外围元胞和场板之间加一个P-Ring环,可以降低第一级场板边缘下的电场强度;改变第四级场板氧化层厚度,可以调整IGBT击穿...
[期刊论文] 作者：穆辛,周新田,张慧慧,金锐,刘钺杨,吴郁,,
来源：电子科技 年份：2014
传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点。针对这两个问题，文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器，并在0．18μm工艺下对电......
[期刊论文] 作者：吴郁, 刘晨静, 金锐, 王耀华, 刘钺杨, 温家良,,
来源：高电压技术 年份：2004
由于逆导型IGBT(RC-IGBT)具有尺寸小、功率密度高、成本低等诸多优点,因此引起人们的广泛关注和研究。侧重适用于电网应用的高压器件,回顾了RC-IGBT的技术发展,包括原始结构...
[期刊论文] 作者：董少华,刘钺杨,何延强,王耀华,金锐,温家良,,
来源：智能电网 年份：2016
在电力系统、轨道交通等高压应用领域,绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)及快恢复二极管(fast recovery diode,FRD)一般通过反并联的方式结合,一...
[期刊论文] 作者：何延强,和峰,刘钺杨,吴迪,金锐,温家良,潘艳,,
来源：智能电网 年份：2017
首先介绍电网中所用的快恢复二极管正向浪涌电流测试原理及方法,试验研究器件有源区结构、阳极区杂质补偿及载流子寿命控制方式对正向浪涌电流的影响。测试结果表明采用低阳...
[期刊论文] 作者：屈静,吴郁,刘钺杨,贾云鹏,匡勇,李蕊,苏洪源,,
来源：半导体技术 年份：2015
静电放电(ESD)失效与雪崩耐量是影响高压硅功率二极管,如功率快恢复二极管(FRD)性能及可靠性的两个主要因素。利用ISE TCAD平台,采用简明分段线性电流源,分别对功率FRD反偏ES...
[期刊论文] 作者：和峰,刘钺杨,刘江,李翠,王耀华,晁武杰,金锐,魏晓光,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2022
高压快恢复二极管芯片过渡区是反向恢复坚固性的薄弱点，一旦失效将影响电力装置稳定运行。提出了一种高阻型过渡区优化结构，通过建立三种模拟模型，研究了过渡区宽度和掺杂浓度对快恢复二极管反向恢复性能的影响。采用高阻型过渡区结构的快恢复二极管反向恢复安全工......
[期刊论文] 作者：魏峰,吴郁,周新田,周东海,吴立成,贾云鹏,胡冬青,金锐,刘钺杨,,
来源：半导体技术 年份：2013
功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程...
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