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[学位论文] 作者：刘铁驹,
来源：河北工业大学 年份：2004
本文对直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照，在硅中引入大量的亚稳态缺陷，研究这些亚稳态缺陷的形成，并在较宽的温度范围内对辐照样品进行了退火处理，研究退火后亚稳态缺陷的转......
[期刊论文] 作者：刘铁驹,,
来源：装饰装修天地 年份：2020
我国社会快速发展、城市化进程不断加快的同时,人们生产生活中的用水量和排水量也随之增多,因此,建筑工程给排水管道施工的质量要求也被相应提高.采取有效措施对其进行质量管...
[期刊论文] 作者：刘铁驹,谭红革,,
来源：中国民航大学学报 年份：2011
采用动态密度泛函理论(DDFT)对ABA型球状三嵌段共聚物在平板间的相行为进行了模拟研究。考查了不同强度的表面诱导对三嵌段共聚物自组装的影响。通过逐渐增大衬底作用,发现了...
[期刊论文] 作者：刘铁驹, 宋立平,,
来源：现代物理知识 年份：2006
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[期刊论文] 作者：刘铁驹,潭红革,,
来源：中国民航大学学报 年份：2011
采用动态密度泛函理论(DDFT)对ABA型球状三嵌段共聚物在平板间的相行为进行了模拟研究.考查了不同强度的表面诱导对三嵌段共聚物自组装的影响.通过逐渐增大衬底作用,发现了多...
[期刊论文] 作者：胡智峰，刘铁驹,
来源：城市建设理论研究（电子版） 年份：2014
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[期刊论文] 作者：胡智峰 刘铁驹,
来源：城市建设理论研究 年份：2014
摘要：建设工程预算造价作为工程投资的重要依据，在工程的基础建设中起着承前启后的作用，是工程造价管理的核心。社会的不断发展导致市场需求变化，在建设工程项目建设中先期的造价预算也会出现偏差，超出预算的现象已屡见不鲜，这样一来也就影响了对工程造价的控制。分析......
[期刊论文] 作者：谭红革,邓雅静,郝清海,刘铁驹,,
来源：材料导报 年份：2011
采用动态密度泛函理论，对本体为球状相的嵌段共聚物受限于方拄中的相行为进行了模拟研究。考察了在不同受限空间和不同表面场下嵌段共聚物的相转变。许多新颖的不同于本体的有......
[会议论文] 作者：胡元庆,刘铁驹,马巧云,杨帅,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
采用中子辐照掺杂直拉硅单晶(NTDCZ)技术生产高均匀性电阻率的Φ4″晶体,合理的后退火工艺是消除氧热施主和辐照施主干扰电阻率均匀性的关键,850℃4小时退火、适当的冷却工艺...
[期刊论文] 作者：刘铁驹,陈倩,郝清海,牛晓辉,苗兵,,
来源：计算机与应用化学 年份：2015
聚电解质是一种典型的软物质,兼具聚合物与电解质的双重特征,在药物输送、燃料电池膜、纳米涂覆等方面的应用有着广泛的应用前景。不同于中性高分子,聚电解质在相分离过程中...
[期刊论文] 作者：谭红革,白瑞娟,刘铁驹,郝清海,邓雅静,,
来源：计算机与应用化学 年份：2012
运用平均场动态密度泛函理论,对球状三嵌段共聚物在圆柱型受限空间的相行为进行了模拟研究。模拟结果表明:在不同的受限空间和表面场中,体系能够形成环绕表面的堆叠圆环、竖...
[期刊论文] 作者：郝清海,陈小云,彭志盛,谭红革,刘铁驹,刘丽彦,苗兵,,
来源：材料导报 年份：2014
采用动态密度泛函理论,对本体为柱状相的两嵌段共聚物受限于纳米碗中的相行为进行了模拟研究.考察了纳米碗大小和表面作用强度对自组装纳米结构的影响.通过逐渐增大纳米碗直...
[期刊论文] 作者：杨帅,马巧云,刘铁驹,李养贤,李永章,牛胜利,李洪涛,牛萍娟,
来源：第五届中国功能材料及其学术会议 年份：2004
应用FTIR技术研究了不同剂量(1×10~1.17×10n/cm)快中子辐照直拉硅(CZ-Si)的辐照缺陷和间隙氧在不同温度热处理时的行为.发现随辐照剂量的增加未退火的样品的间隙氧含量迅速下降,并且间隙氧的下降明显分为3个阶段.FTIR谱表明快中子辐照后主要的辐照缺陷为VO(82......
[会议论文] 作者：刘铁驹,潘梦霄,马巧云,杨帅,黄千驷,刘彩池,李养贤,李翔,沈浩平,胡元庆,李永章,牛胜利,李洪涛,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
对间隙氧含量高达10atoms/cm的直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照,使用傅立叶红外变换红外技术(FTIR)和正电子湮没技术(PAT)对样品进行了测试.结果表明,快中子辐照可以降低硅中的间隙氧含量,同时可以提高硅的正电子湮没寿命,快中子剂量达到1×10n.cm后,辐照......
[会议论文] 作者：杨帅,孙建忠,郝秋艳,马巧云,刘铁驹,黄千驷,刘彩池,李养贤,李翔,沈浩平,胡元庆,李永章,牛胜利,李洪涛,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
应用FTIR研究不同剂量快中子辐照直拉硅中的辐照缺陷和间隙氧的行为,实验中在485cm处发现了一个新的红外吸收峰,对辐照样品进行了100-1200℃ 1小时热处理初步确定这个吸收峰是与辐照缺陷相联系的,而与氧无关.......
[会议论文] 作者：马巧云,贾德贵,郝秋艳,杨帅,刘铁驹,黄千驷,刘彩池,李养贤,李翔,沈浩平,胡元庆,李永章,牛胜利,李洪涛,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
快中子辐照将在硅中引入大量缺陷,辐照后在硅中形成的空位与硅中间隙氧结合形成了大量的空位-氧复合体(V—O).实验发现,辐照后硅中间隙氧含量明显降低,且间隙氧的减少量与辐照剂量成正比.这是由于辐照后硅中形成大量V-O的结果.在热处理过程中辐照缺陷可以作为氧......
[会议论文] 作者：刘铁驹[1]潘梦霄[1]马巧云[1]杨帅[1]黄千驷[1]刘彩池[1]李养贤[1]李翔[2]沈浩平[2]胡元庆[2]李永章[3]牛胜利[3]李洪涛[3],
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
对间隙氧含量高达10atoms/cm的直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照,使用傅立叶红外变换红外技术(FTIR)和正电子湮没技术(PAT)对样品进行了测试.结果表明,快中子辐照可以降...
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