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[期刊论文] 作者：刘伟,刘魁勇,
来源：辽宁大学学报：自然科学版 年份：2002
在本文中,给出了方形积分区域上球面积的解析解,并在一极限条件下验证了该解析解的合理性.该方法可推广到其它规则几何图形的积分区域上....
[期刊论文] 作者：祁烁,王丽芝,刘魁勇,
来源：沈阳理工大学学报 年份：2008
实验观测到遍举过程的产生截面比NRQCD框架下的理论计算值大一个数量级，为解决理论与实验的尖锐矛盾，本文在三种方案下考虑夸克质量改变对正负电子湮灭中双粲夸克对的遍举过程......
[期刊论文] 作者：祁烁,王丽芝,刘魁勇,成泰民,
来源：沈阳师范大学学报：自然科学版 年份：2008
实验观测到J／ψηc的产生截面是33fb，而在NRQCD框架下的理论计算只有5．5fb．为解决理论与实验的尖锐矛盾，考虑e^＋e^-→2γ^＊→J／ψ＋J/ψ过程的相对论修正，发现相对论修正使产生截面提高2......
[期刊论文] 作者：祁烁,王丽芝,刘魁勇,成泰民,
来源：辽宁师范大学学报：自然科学版 年份：2008
在3种方案下考虑夸克质量改变对正负电子湮灭中双粲夸克对的单举过程和遍举产生的影响.第一种方案,选取固定长程矩阵元;第二种方案,采用线性势模型计算长程矩阵元;第三种方案...
[期刊论文] 作者：李一杰,张盼盼,韩大伟,王晓宇,许广智,刘魁勇,,
来源：辽宁大学学报（自然科学版） 年份：2016
在NRQCD因子化框架下,通过Xc0与Xc2衰变过程对Xc的长程矩阵元进行了研究.结果表明,相对论修正与领头阶矩阵元的大小关系满足NRQCD速度标度律....
[期刊论文] 作者：赵洪利,高林春,曾传滨,刘魁勇,罗家俊,韩郑生,,
来源：微电子学与计算机 年份：2015
直流电流电压(DCIV)方法不仅可以提取SOI器件前栅沟道界面态密度,也可应用于背界面态密度的提取.给出了具体的测试步骤与方法,以0.13μm SOI工艺制造的NMOS器件为测试对象,对...
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