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[期刊论文] 作者：力旺电子,
来源：中国集成电路 年份：2018
力旺电子近日宣布其一次可编程(OTP)内存硅知识产权NeoFuse成功导入22nm全耗尽绝缘体上硅(fully-depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)工艺平台(22FDX),NeoFuse技术继在Fin...
[期刊论文] 作者：力旺电子,
来源：中国集成电路 年份：2019
力旺电子日前宣布,其嵌入式可多次编写(Multiple-Times Programmable,MTP)内存IPNeoMTP 已成功导入格芯130nm BCD 与BCDLite工艺平台,专攻消费性及车用市场,以及日益增加的无...
[期刊论文] 作者：力旺电子,,
来源：中国集成电路 年份：2016
力旺电子延续在NeoBit技术开发的成功经验,自2013年起正式推出全新反熔丝架构之嵌入式非挥发性内存技术NeoFuse,将单次可编程嵌入式非挥发性内存技术的布局版图从成熟工艺进...
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