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[期刊论文] 作者：陈宁,朱长纯,吴一清,单建安,
来源：西安交通大学学报 年份：1998
在理论分析的基础上，设计制作了５００Ｖ／１１ＡＶＤＭＯＳＦＥＴ芯片，并且进行了失效分析，从而进一步解决了设计和工艺中存在的问题，提高了成品率．最后指出了今后努力的方向．......
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