搜索筛选:
搜索耗时0.0331秒,为你在为你在61,042,061篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：王卓,邹杰,周锌,卢慕婷,乔明,张波,,
来源：微电子学 年份：2013
提出了一种具有多阶场板的300 V薄层SOI RESURF nLDMOS器件.借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击穿,提高了器件耐压.通过分析器件的结构参数...
相关搜索：
