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[会议论文] 作者：卢殿通,
来源：2001年超精细相互作用与核固体物理研讨会 年份：2001
SOI(Silicon On Insulator)材料是为了满足卫星、导弹、飞船航天电子控制系统的需要而发展起来的一种新型硅材料.采用这种材料制作的SOI-CMOS(Complementary Metal-Oxside-Se...
[期刊论文] 作者：卢殿通,
来源：半导体学报 年份：2000
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[会议论文] 作者：卢殿通,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
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[会议论文] 作者：卢殿通,
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｍ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技术是２１世纪的硅集成电路技术。离子注入ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｅｎ）材料是最重要的ＳＯＩ材料。报道了氧注入单晶硅，经过高温长时间退火后，形成质量很好的ＳＩＭＯＸ薄膜材料。用多种方法测量了ＳＯＩ薄膜材料的表面硅......
[会议论文] 作者：卢殿通,
来源：第五届全国固体薄膜学术会议 年份：1996
ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ）材料近年来的在国内外得到广泛的研究，ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路离实际应用已为期不远，作者利用离子注入制备出ＳＯＩ－ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ ｏｆ Ｏｘｙｇｅｎ）薄膜材料，并用背散射（ＲＢＳ），扩展电阻（ＳＲ）和红外吸收（ＩＲ）等，对ＳＩＭＯＸ薄膜进行了测试。......
[会议论文] 作者：卢殿通,
来源：第七届全国固体薄膜学术会议 年份：2000
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[期刊论文] 作者：卢殿通,P.L.F.Hemment,
来源：半导体学报 年份：2000
报道了 SOI材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法 ,详细地研究了 SIMOX材料的红外吸收光谱特性 ,求出了特征峰对应的吸收系数 .提出利用红外吸收光谱测量 SIMOX绝缘埋层厚度的...
[期刊论文] 作者：卢殿通,P.L.F.Hemment,
来源：半导体杂志 年份：2000
本文主要研究高剂量氧离子 (1 4～ 2 5× 10 1 8/cm2 )注入Si (10 0 )中 ,形成SOI SIMOX材料的表面Si单晶薄层的电学性能。用扩展电阻和霍耳测量 ,研究了不同的注入条件和退火...
[期刊论文] 作者：梁中宁,卢殿通,
来源：半导体学报 年份：1989
本文利用椭偏光谱法测量了能量为200keV、剂量为2×10~(18)cm~(-2)的~(16)O~+注入Si以及退火样品.应用多层介质膜模型和有效介质近似,分析了这些样品的SIMOX结构的各层厚...
[期刊论文] 作者：Hem.,PLF,卢殿通,
来源：半导体学报 年份：2000
报道了ＳＯＩ材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法，详细地研究了ＳＩＭＯＸ材料的红外吸收光谱特性，求出了特征峰对应的吸收系数，提出利用红外吸收光谱测量ＳＩＭＯＸ绝缘埋层厚度的非破坏性方法，并根据离子......
[期刊论文] 作者：李艳,卢殿通,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：2003
讨论了由国产LC-14型强流氧离子注入机制备的SIMOX(separation by implanted oxygen)材料薄膜厚度的测量和分析.采用红外吸收光谱测量SIMOX绝缘埋层的厚度,这是一种快速非破...
[期刊论文] 作者：卢殿通,Hem.,PLF,
来源：半导体杂志 年份：2000
本文主要研究高剂量氧离子 (1 4～ 2 5× 10 1 8/cm2 )注入Si (10 0 )中 ,形成SOI SIMOX材料的表面Si单晶薄层的电学性能。用扩展电阻和霍耳测量 ,研究了不同的注入条件和...
[期刊论文] 作者：卢殿通,Rysse.,H,
来源：核技术 年份：2000
ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路具有高速度、低功能、抗辐照等优点。用氧、氮离子注入硅中，得到性能良好的ＳＩＭＯＸ和ＳＩＭＮＩ薄膜材料。用扩展电阻、霍耳效应和深能级瞬态谱等多种方法研究了ＳＯＩ材料表面界面的电学性能。并......
[会议论文] 作者：卢殿通,王瑛,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
该文主要研究高剂量氧离子（１．８－２．５＊１０〈’１８〉Ｏ〈’＋〉／ｃｍ〈’２〉注入ｎ－Ｓｉ（１００），形成ＳＯＩ－ＳＩＭＯＸ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｓｅｐｅｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）材料的表面Ｓｉ单晶薄层的电学性能。用扩展电阻和霍耳测量，研究了不同的注入条件和退火条件对表面Ｓｉ单晶层的载流子......
[会议论文] 作者：卢殿通,王瑛,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技术发展迅速，被认为是２１世纪最重要的硅集成电路技术。ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路具有高速度、低功耗、抗辐照等一系列优点。作者用氧、氮离子注入硅中，得到性能良好的ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）和ＳＩＭＮＩ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｎｉｔｒｏｇｅｎ）薄膜材料。研......
[期刊论文] 作者：卢殿通,Heiner Ryssel,
来源：半导体学报 年份：2000
SOI-SIMNI (Silicon On Insulator-Separation by Implanted Nitrogen) films were formed with standard method and multiple-step implantation one. The Hall-e ffect...
[期刊论文] 作者：卢殿通，HeinerRyssel，LUDian-tong，HeinerRyssel,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：张为炳,卢殿通,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：陈开茅,卢殿通,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1989
本文用DLTS测量了P型硅MOS结构Si-SiO_2界面的缺陷,发现了一个主界面缺陷H_(it)(0.503),其特点是:在测量温度范围内,它的平均空穴离化吉布斯自由能ΔG_P≥0.503eV;当栅压使Si-SiO_2界面处Fermi能级与硅价带顶的距离明显小于ΔG_P时,它仍然具有很高的DLTS峰;随着......
[期刊论文] 作者：卢殿通,黄栋,Heiner Ryssel,
来源：物理学报 年份：2004
采用常规方法和分步注入法制备SOI-SIMNI(Silicon on Insulator-Separation by Implantation of Nitrogen)薄膜材料.用液氦低温霍耳效应进行了分析测量.测量结果表明：分步注入...
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