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[学位论文] 作者：卢洋藩,,
来源：浙江大学 年份：2009
ZnO是一种新型的宽禁带氧化物半导体材料,具有直接带隙能带结构,室温禁带宽度为3.37 eV,对应近紫外光波段。同时,ZnO具有高达60 meV的激子束缚能,其激子在室温下可以稳定存在...
[期刊论文] 作者：卢洋藩,王君,
来源：材料科学与工程学报 年份：2022
采用X射线光电子能谱结合氩离子溅射对用作锂离子电池负极的Si/C多层膜进行了表面测试及深度剖析,获得了Si/C多层膜结构中不同深度位置的成分及化学状态.分析结果表明,Si/C多层膜中各层Si、C薄膜之间存在界面元素相互扩散,扩散至相邻层薄膜中的Si、C元素主要以......
[期刊论文] 作者：卢洋藩,刘芙,陈立新,
来源：实验科学与技术 年份：2020
针对传统的材料专业实验课程教学,特别是涉及大型仪器的实验课程,普遍存在的理论与实践脱节、实验步骤机械、实验过程不完整的问题,提出了线上线下相结合的实验课程教学模式...
[会议论文] 作者：叶志镇,卢洋藩,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[会议论文] 作者：卢洋藩,陈匆,叶志镇,
来源：第五届全国掺杂纳米发光性质学术会议 年份：2014
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[会议论文] 作者：叶志镇,卢洋藩,陈凌翔,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
ZnO光电材料是新型节能光电子工业的基础材料,在未来白光照明产业中有可能发挥重要作用.对于研究ZnO光电材料在节能光电子器件中的应用来说,结构的可控生长是实现实际应用的基础,p型掺杂是推动其应用于光电器件的关键问题.......
[期刊论文] 作者：卢洋藩, 刘芙, 陈立新, 朱铁军, 程逵,
来源：教育教学论坛 年份：2022
在新工科建设要求背景下，传统单一的线下实训与新冠肺炎疫情期间单一的线上调研实习存在各自的缺陷，探索适合后疫情时代线上调研与线下实训相结合的“横纵结合”本科生企业实习模式非常必要。这种兼具横向行业跨越宽度和纵向专业了解深度的本科生企业实习模式，能够......
[期刊论文] 作者：卢洋藩,陈匆,曾昱嘉,叶志镇,,
来源：中国科技论文 年份：2016
量子点用于光电器件可以减小极化电场、避免发光峰位偏移、减少非辐射复合。目前文献中针对ZnO量子点的自组装生长机理及电学性能研究较少。针对自组装生长量子点用于光电器...
[期刊论文] 作者：王艳华,陈立新,刘芙,卢洋藩,陈洁,
来源：当代教育实践与教学研究（电子刊） 年份：2022
为了主动适应新时代高等教育要求和高素质人才培养目标,提高材料专业本科毕业生的工程实践与创新能力,浙江大学材料科学与工程专业探索构筑了面向实践创新能力持续培养的多层次、递进式“3+3+3+1”实践教学体系,引入材料学科前沿交叉的自主探究性实验科目和O2O......
[期刊论文] 作者：叶志镇,曾昱嘉,卢洋藩,何海平,,
来源：中国科技论文在线 年份：2007
本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术,其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等;在p型掺杂的基础上,实现ZnO同质p-n结室温电注入...
[会议论文] 作者：叶志镇;潘新花;卢洋藩;陈凌翔;陈巍;,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
随着科技的发展,固体照明和平板显示都具有越来越大的市场产值.然而,作为生产过程中的重要结构,无论是固体照明技术中的芯片结构(InGaN),或是平板显示技术中的透明电极(I...
[会议论文] 作者：卢洋藩,吴科伟,顾建龙,陈匆,叶志镇,
来源：第五届届全国氧化锌学术会议 年份：2011
ZnO薄膜的p型掺杂近年来一直是ZnO基材料研究的一个热点和难点，对于其在短波长光电子器件方面的应用起着至关重要的作用。近年来国内外研究者p型ZnO薄膜的生长及掺杂进行...
[会议论文] 作者：卢洋藩,吴科伟,陈匆,顾建龙,叶志镇,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[期刊论文] 作者：张亚琳,黄靖云,吴科伟,卢洋藩,叶志镇,,
来源：材料科学与工程学报 年份：2013
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在MgO(100)衬底上成功生长了非极性的m面(1010)ZnMgO薄膜。研究了衬底温度对ZnMgO薄膜生长取向的影响。X射线衍射(XRD)分析结果表明当...
[会议论文] 作者：黄靖云,张亚琳,吴科伟,卢洋藩,叶志镇,
来源：第五届届全国氧化锌学术会议 年份：2011
Non-polar ZnMgO thin film was successfully prepared on MgO (100) substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) at an appropriate growth condi...
[期刊论文] 作者：高国华,叶志镇,简中祥,卢洋藩,胡少华,赵炳辉,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2007
采用直流反应磁控溅射方法，由氨气和氧气的混合气体在玻璃和单晶硅衬底上制备Al、N共掺Zn1-xMgxO薄膜。采用XRD、FE—SEM、Hall实验、UV—VIS透射谱以及EDS等方法对共掺Zn1-xM...
[会议论文] 作者：吴科伟,丁萍,卢洋藩,潘新花,赵炳辉,叶志镇,
来源：第13届全国发光学学术会议 年份：2013
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[期刊论文] 作者：卢洋藩,叶志镇,曾昱嘉,陈兰兰,朱丽萍,赵炳辉,,
来源：无机材料学报 年份：2006
采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜．XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25．2Ω·cm,Hall迁移率为0．5cm~2/(V·s),空穴浓度为4．92×1...
[期刊论文] 作者：卢洋藩,叶志镇,曾昱嘉,徐伟中,朱丽萍,赵炳辉,
来源：半导体学报 年份：2007
研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响....
[会议论文] 作者：曾昱嘉,叶志镇,卢洋藩,徐伟中,朱丽萍,赵炳辉,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文采用等离子体辅助金属有机物化学气相沉积法在不同衬底上生长非故意掺杂p型ZnO薄膜.最佳电阻率为12.7 cm,空穴浓度为1.88×1017 cm-3,迁移率达2.6 cm2/V s.二次离子质谱...
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