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[学位论文] 作者:卢焕明,, 来源:浙江大学 年份:2006
氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,远高于其他宽禁带半导体材料,也高于室温下的热运动能,可以实现室温或更高温度下的激子诱发的......
[期刊论文] 作者:卢焕明,, 来源:名师在线 年份:2019
近年来,我国素质教育获得了快速的发展,新课程改革不断深化,并且提出了"核心素养"这一新词汇。所谓核心素养,指的是教师在开展教学过程中不再受传统教育理念和方法的束缚,而...
[期刊论文] 作者:卢焕明, 来源:国家通用语言文字教学与研究 年份:2019
随着新课改的不断推进,小学数学教材也在不断推陈出新。现代化的小学数学教材和以前相比,更加凸显人性化和思维化特点,更多时候是以问题的方式激发学生的学习兴趣和探究欲望,...
[期刊论文] 作者:卢焕明,, 来源:江苏陶瓷 年份:2010
在紫砂壶造型中,筋纹器与光货、花货并存而得到广大紫砂壶藏家的青睐。紫砂壶是自然形态与人工组合的完美结合。其设计精确严格,加上精工细作,使生动流畅的紫砂筋纹上下联系.左右......
[会议论文] 作者:卢焕明, 来源:1998年中国材料研讨会 年份:1998
利用UHV/CVD系统生长了锗硅碳外延层,对样品进行了二次离子质谱(SIMS)深度剖析,外延层中含一定量的碳,已形成了锗硅碳三元合金。样品的高分辨电镜(HRTEM)可以看出,外延层与衬底之间完全共格,无明显的界......
[期刊论文] 作者:卢焕明, 来源:启迪·上 年份:2021
摘要:在信息化的时代下,即便在农村小学,将德育教育渗透在课堂教学中,大部分教师也不再感觉陌生。基于此,作为一名农村小学数学教师,要基于新一轮的课程改革要求,在数学课堂中对学生进行养成教育,帮助学生获取数学知识与技能的同时,培养学生的健康心理品质,促进学生多方位......
[期刊论文] 作者:卢焕明, 来源:中国电气工程学报 年份:2020
摘要:在当前工业化建设进程不断推进的新市场经济常态下,阀门作为机械运动的重要装置,在控制流体流量、方向和压力大小方面发挥了重要作用,机械自动化控制阀门则是近年来企业基于传统阀门基础上应用的一种更为灵活、方便且投资成本较小的装置,将其实践于机械生产作业......
[会议论文] 作者:卢焕明, 来源:1998年中国材料研讨会 年份:1998
用UHV/CVD法在780℃生长了锗硅外延层,并利用双晶X射线衍射仪研究了组分渐变缓冲层对外延层晶体质量的影响。结果表明,缓冲层的组分从衬底到外延层几乎线性渐变,外延层成份均匀,使双晶衍射摆动曲线半高峰宽(FWHM)宽化的主要原因是衍射晶面取向分散,说明驰豫过程中形成了Mosaic微结构。生长组......
[期刊论文] 作者:亓震,卢焕明, 来源:半导体技术 年份:1999
三元合金SiGeC中处于替代位置的碳能缓解SiGe合金的应变,并同时调节其能带结构。碳的加入对锗硅材料中应变的缓解及合金能带合金能带结构的影响,尤其是弛豫状态下的锗硅材料及锗硅碳材料......
[期刊论文] 作者:卢焕明,赵轶, 来源:材料科学与工程 年份:1997
本文介绍了X射线双晶衍射仪的特点及其原理,以及利用X射线摇摆曲线技术在半导体材料研究方面的应用。...
[会议论文] 作者:卢焕明,汪雷, 来源:第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份:1997
[会议论文] 作者:汪雷,卢焕明, 来源:第六届全国固体薄膜学术会议 年份:1998
[期刊论文] 作者:黄靖云,卢焕明, 来源:真空科学与技术 年份:1999
系统分析了利用超高真空CVD技术在Si衬底上外延Si-xGex合金的体内组分分布情况和Ge的表面偏析现象。用SIMS对Si和Ge的组分作了深度剖析。在生长过程中,组分均匀,在表面Ge浓度减小,Si浓度没有明显变化。在不......
[期刊论文] 作者:卢焕明,叶志镇, 来源:材料科学与工程 年份:1999
用超高真空CVD技术在780℃生长了锗硅外延层及组分渐变缓冲层,并利用双晶X射线衍射仪研究了缓冲对外延层晶体质量的影响。结果表明,衬底与外延之间生长了组分几乎线性渐变的缓冲层,提高......
[期刊论文] 作者:樊瑞新,卢焕明, 来源:材料科学与工程 年份:1999
利用台阶仪,扫描电镜和X射线双晶衍射仪,研究了线切割硅片和内圆切割硅片的表面切割损伤和损伤层厚度。实验指出线切割硅片表面粗糙度大,外表面损伤大,但损伤层的工要小于圆切割硅......
[期刊论文] 作者:卢焕明,叶志镇, 来源:真空科学与技术 年份:1999
利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统,在直径3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线的衍射技术测试了餐延层,确定外延层的组分怀晶体质......
[会议论文] 作者:卢焕明,杨德仁, 来源:第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份:1995
[会议论文] 作者:卢焕明,李先抗, 来源:第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份:1995
[会议论文] 作者:卢焕明,叶志镇, 来源:第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份:1997
[会议论文] 作者:卢焕明,叶志镇, 来源:第六届全国固体薄膜学术会议 年份:1998
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