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[期刊论文] 作者：余文敏, 卢煜旻,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2019
为获得高频信号源,采用0.13μm的锗硅双极结型晶体管和互补金属氧化物半导体工艺设计并实现了一种高效率和高基频抑制的52GHz平衡式二倍频器。二倍频器采用了差分共射-共基结...
[期刊论文] 作者：凌园园, 卢煜旻,,
来源：微电子学 年份：2019
基于Tower Jazz 0.13μm SOI CMOS工艺,提出了一种应用于无线局域网的2.4/5.5GHz双频段低噪声放大器(LNA)。该双频段LNA基于带源极电感的共源共栅结构,在放大管栅极与共源共...
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