搜索筛选:
搜索耗时0.1490秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 24 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：友渝,
来源：今日教育 年份：2008
10年，一个朝气蓬勃的研究团队伴随年轻直辖市教育发展的步伐不断放飞理想。10年，一群教育追梦人虔诚地实践着一个关于“创新”的命题。10年矢志不渝，10年风雨无阻。人们常问，人生......
[期刊论文] 作者：友渝,
来源：今日教育 年份：2007
创新学习的研究是十年中重庆直辖教育改革成果的一个缩影,但是它所突现的教育者敢为天下先的豪情、勇担责任的勇气、不怕困难挫折的决心、坚持不懈的毅力、吃苦耐劳的努力的...
[期刊论文] 作者：冯友渝,,
来源：重庆师范学院学报(自然科学版) 年份：1997
本文采用ＰＤＣＡ循环模式与高校教学管理过程拟合，从宏观上将ＰＤＣＡ循环各工作步骤有机地与高校教学管理各项工作内容密切地结合，为进一步实现高校教学科学化管理、促进高校教学管理改革与发......
[期刊论文] 作者：张友渝,
来源：半导体学报 年份：1980
提出一种根据 C_g-V_g及 G_i-V_g关系测定 GaA: MESFET外延层中载流子浓度分布n(h)及漂移迁移率分布μ(h)的方法.给出了一些典型外延材料的实验结果.证明n(h)和μ(h)是表征外...
[期刊论文] 作者：曾友渝,,
来源：电脑迷 年份：2017
近年来,随着计算机技术的广泛应用,计算机软件也越来越庞杂,手工开发、维护软件和获取信息是比较困难的.数据挖掘技术可以使软件开发速度得到提升,并在大量的软件工程数据中...
[期刊论文] 作者：张友渝,,
来源：天然气工业 年份：1985
石油工业部压力容器设计单位资格审查小组,于1984年10月27日～11月4日对四川石油勘察规划设计院进行了压力容器设计资格复查工作,于1984年12月14日经石油工业部批准,1985年1月...
[学位论文] 作者：曾友渝,
来源：南京航空航天大学 年份：2021
现代船舶结构复杂,运行环境恶劣,船舶航行安全面临巨大挑战,传统的计划维护保养体系存在的问题越来越突出。为了提高船舶设备维护的成效性,确保各种设备安全运转,一方面,迫切需要采用先进的计算机技术对船舶设备运行状态进行实时监控和故障诊断,发现船舶设备运......
[期刊论文] 作者：C.P.Lee,张友渝,,
来源：半导体情报 年份：2004
已经研究了在GaAs MESFET漏极上设置的p型区的作用。从这个p型区注入的空穴,补偿了沟道-衬底界面空间电荷区中的负电荷,因而将不希望存在的衬底效应减至最小。与标准的n型漏...
[期刊论文] 作者：C.Hurtes,张友渝,,
来源：半导体情报 年份：2004
采用 Ga/AsCl_3/H_2汽相外延在掺杂半绝缘衬底上生长 FET 的缓冲层。用霍耳、光霍尔、阴极荧光以及新的深能级瞬态电流法(DLTS)研究了缓冲层的双层结构。此双层结构由上层的...
[期刊论文] 作者：H.Fukui,张友渝,,
来源：半导体情报 年份：2004
本文描述了一种确定砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAsMESFET)有源沟道基本性质的新方法。有效栅长、沟道厚度以及载流子浓度是根据器件直流参数确定的。给出了测量直流参...
[期刊论文] 作者：P.A.Blakey,张友渝,,
来源：半导体情报 年份：1981
一、引言本文叙述采用微处理机或高级的可编程序计算器,使众所周知的 C(V)剖面测定法提高精度、扩大用途和方便使用的方法。建立此方法以帮助表征高效率的 GaAsIMPATT,而且...
[期刊论文] 作者：张友渝,程兆年,
来源：半导体学报 年份：1998
本文提出一种原位测定ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ沟道中掺杂浓度分布和迁移率分布的新方法。建立了测试模型。推导出测量计算公式。用最优化方法处理实验数据，由机助测试系统系统和计算程序可方便地获......
[期刊论文] 作者：Chen.,CL,张友渝,
来源：半导体情报 年份：1989
业已开发了一种用激光直接描绘淀积W薄膜的技术。它是一种在电路制成之后,可以方便而又灵活地修正GaAsMMIC的方法。用一个微米级定位精度的聚焦氩离子激光束诱导的气相化学反...
[期刊论文] 作者：曾友渝,谢强,
来源：计算机科学 年份：2021
针对现有的多变量时间序列预测方法不能适用于船舶多设备故障预测的问题,提出一种基于改进的循环神经网络和向量自回归的船舶设备故障预测方法。该方法既能够学习多个变量之...
[期刊论文] 作者：鲁友渝,赵富明,
来源：新疆钢铁 年份：1992
...
[期刊论文] 作者：张友渝,江泽流,
来源：半导体学报 年份：1998
本文提出采用栅孔直径整匀法以及改进的纵向高阻Ｓｉ镇流电阻流，提高了Ｓｐｉｎｄｔ型场发射冷阴极阵列的发射均匀性。...
[期刊论文] 作者：王云生,张友渝,,
来源：半导体情报 年份：1982
本文提出了一种可以直接在GaASMESFET上测定有源层迁移率分布的方法。这种测定迁移率分布的方法是基于半导体的磁阻效应。推导了测定迁移率的计算公式。给出了典型器件有源层...
[期刊论文] 作者：Chen,张友渝,,
来源：半导体情报 年份：1989
业已开发了一种用激光直接描绘淀积W薄膜的技术。它是一种在电路制成之后,可以方便而又灵活地修正GaAsMMIC的方法。用一个微米级定位精度的聚焦氩离子激光束诱导的气相化学反...
[期刊论文] 作者：Chi,张友渝,,
来源：半导体情报 年份：1988
业已用成品率极高的平面离子注入和全反应离子腐蚀(RIE)工艺制作了一个高性能X波段单片功率放大器。采用RIE/WET(反应离子腐蚀/湿法腐蚀)工艺制成独特的栅凹槽腐蚀剖面,改进...
[期刊论文] 作者：程兆年,杨悦非,张友渝,
来源：半导体学报 年份：1986
提出了由实测数据采用最优化分析技术给出 GaAs MESFET串联电阻的新方法.在数据处理中,考虑了部份沟道电阻贡献与栅电流有关.使用本方法计算程序的机助测试系统可迅速正确地...
相关搜索：
