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[期刊论文] 作者：高超,叶景良,,
来源：半导体技术 年份：2009
研究了18V漏板延伸金属氧化物半导体场效应晶体管（DEMOS）在高栅极电压下的热载流子注入效应。实验观察到两种失效模式，分别是热空穴的注入效应和高栅压导致的阈值电压增大，发现其......
[期刊论文] 作者：辛娟娟,韦旎妮,刘抒,黄红伟,叶景良,,
来源：半导体技术 年份：2010
在半导体器件的失效分析中,缺陷定位是必不可少的重要环节。光发射显微镜(PEM)是IC失效定位中最有效的工具之一。PEM利用了IC器件缺陷在一定条件下的发光现象,迅速定位缺陷。...
[期刊论文] 作者：戴明志,刘韶华,程波,李虹,叶景良,王俊,江柳,廖宽仰,,
来源：半导体学报 年份：2008
基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入(HCI)效应和ISUB相关.因此,IS...
[期刊论文] 作者：戴明志,刘韶华,程波,李虹,叶景良,王俊,弗江柳,廖宽仰,
来源：半导体学报 年份：2008
基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流（ISUB）的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入（HCI）效应和ISUB相关.因此,ISUB特......
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