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[期刊论文] 作者：吴全潭,刘朔,
来源：电子工艺技术 年份：2020
非晶铟镓锌氧化物半导体(a-IGZO)二极管广泛应用于光电子学领域,在柔性可穿戴应用领域有巨大优势,但仍然需要解决制备高性能器件和成本等问题。概括了a-IGZO二极管的工作原理...
[期刊论文] 作者：吴全潭, 时拓, 赵晓龙, 张续猛, 伍法才, 曹荣荣, 龙世兵,
来源：物理学报 年份：2017
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[期刊论文] 作者：吴全潭,时拓,赵晓龙,张续猛,伍法才,曹荣荣,龙世兵,吕杭炳,
来源：物理学报 年份：2017
报道了一种基于多层六角氮化硼（h-BN）二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程,且具有自限流的双极性阻变行为;具有较好的抗疲劳性和较长的数据保持时间.该器件在脉冲编程......
[期刊论文] 作者：吴全潭,时拓,赵晓龙,张续猛,伍法才,曹荣荣,龙世兵,吕杭炳,刘琦,刘明,,
来源：物理学报 年份：2017
报道了一种基于多层六角氮化硼(h-BN)二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程,且具有自限流的双极性阻变行为;具有较好的抗疲劳性和较长的数据保持时间.该器件在脉冲编...
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