搜索筛选:
搜索耗时0.0956秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 27 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者:吴长树,,
来源: 年份:2006
蓝牙是一种短距离无线通信技术,用以代替数字设备和计算机外设间的电缆连线以及实现数字设备间的无线组网——微微网。遵循蓝牙规范的设备之间能够非常方便的建立数据和语音...
[期刊论文] 作者:吴长树,
来源:农村新技术 年份:2001
...
[期刊论文] 作者:吴长树,
来源:课程教育研究 年份:2017
物理是一门严谨的学科,以实验为理论基础.创新物理实验教学方法,有利于完善物理教学,也能够促进教学效率的提高.本篇文章将主要从初中物理实验教学法目前存在的问题、创新教...
[期刊论文] 作者:吴长树,
来源:黑龙江科技信息 年份:2010
鸡西矿业集团公司张辰煤矿西三采区3...
[期刊论文] 作者:吴长树,张光华,
来源:红外技术 年份:1991
报道用开管汽相外延法生长长波碲镉汞晶膜的结果。实验表明,用这种方法容易得到适合红外焦平面列阵器件制备用的大面积均匀优质碲镉汞晶膜。...
[会议论文] 作者:吴长树,张光华,
来源:1989年全国碲镉汞技术交流会 年份:1989
...
[期刊论文] 作者:吴长树,李炽,
来源:物理 年份:2004
宫尾、亘池等人[1]采用滑动液相外延技术,在掺Ge的P型InSb衬底片上,生长重掺Te的 n+型外延层.由于n+层的简并所呈现的伯恩斯坦-莫斯(Burster-Moss)位移效应[2,3],使入射光内3...
[期刊论文] 作者:吴长树,李炽,
来源:光学学报 年份:1986
本文报道用水平滑舟系统液相外延制备n~+InSb/PHg_(1-x)Cd_(?)Te异质结.该异质结外延层厚度在15~25μm之间,由电镜扫描分析出外延层和衬底之间的介面平直,组分过渡很徒.采用该...
[期刊论文] 作者:李炽,吴长树,黄醒良,,
来源:红外技术 年份:1987
本文用单向扩散流导出了离解系数和分子扩散速度的参量表达,用界面竞争分凝模型导出了平衡分凝系数和界面分凝系数与绝对分凝系数的关系;用扩散分凝控制模型讨论了具有赝二元...
[期刊论文] 作者:李炽,吴长树,黄醒良,
来源:红外技术 年份:1988
本文定量讨论了(Hg,Cd)Te体系的绝对分凝系数、扩散系数、临界过冷度和有效分凝系数与生长条件的关系,并计算了富Te熔体液相外延生长8~14μm响应波段材料的生长条件。The re...
[期刊论文] 作者:张明,郭治平,吴长树,刘翔,
来源:材料科学与工艺 年份:2017
InAs作为III-V族化合物半导体材料,可以应用于磁阻和霍尔元器件、量子点激光器元件、太阳能电池和红外探测器元件等方面,具有广泛的研究和应用前景.本文以Si(211)为衬底,采用热...
[期刊论文] 作者:谭红琳,张鹏翔,刘翔,吴长树,
来源:光电子.激光 年份:2001
本文研究了用热壁外延(HWE)技术在Si衬底上不同工艺下生长的GaAs薄膜的拉曼(Raman)和荧光(PL)光谱。研究表明:在室温下,GaAs晶膜的Raman光谱的265cm-1横声子(TO)峰和289cm-1纵声...
[期刊论文] 作者:谭红琳,张鹏翔,刘翔,吴长树,
来源:光谱学与光谱分析 年份:2001
本文研究了用热壁外延(HWE)技术在Si衬底上、不同工艺条件生长的GaAs薄膜的拉曼(Raman)和光荧光(PL)光谱.研究表明:在室温下,GaAs晶膜的拉曼光谱的265 cm-1横声子(TO)峰和290...
[期刊论文] 作者:杨爱明,吴长树,杨宇,唐利斌,
来源:激光与红外 年份:2004
用热壁外延法(HWE)生长直径30mm的CdTe/CdZnTe/Si薄膜,经XRD测试说明它是晶面为(111)取向的立方闪锌矿结构.SEM对Si衬底、CdZnTe缓冲层和CdTe薄膜三层分别测试,结果发现:Si衬...
[期刊论文] 作者:吴长树,张光华,宋炳文,张景韶,,
来源:红外技术 年份:1991
报道用开管汽相外延法生长长波碲镉汞晶膜的结果。实验表明,用这种方法容易得到适合红外焦平面列阵器件制备用的大面积均匀优质碲镉汞晶膜。Reported the use of open-tube...
[期刊论文] 作者:何利利,张明,郭治平,刘翔,吴长树,
来源:人工晶体学报 年份:2017
采用热壁外延(Hot Wall Epitaxy,HWE)沉积系统在单晶Si(211)衬底表面制备了InAs薄膜,研究了不同生长温度(300℃、350℃、400℃、450qC和500℃)对薄膜材料结构及其电学性能的影响。通...
[会议论文] 作者:陈庭金,涂洁磊,章晨静,吴长树,
来源:中国第七届光伏会议 年份:2002
本文介绍以单晶Si为衬底,热壁外延制备适合作太阳电池的GaAs多晶薄膜.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构特性.并分析了各种工艺条件对GaAs薄膜结构特性的影响,得出制备表面呈绒面结构、晶粒为柱状结构、可用......
[期刊论文] 作者:刘翔,谭红琳,吴长树,陈庭金,袁海荣,
来源:新能源 年份:2000
两步液相外延生长是制作高质量、高效率p+-A1xGa1.xAs/p-n-n+-GaAs型太阳能电池的关键.本文就此问题进行了研究,得出结论:n-GaAs外延层是制作整个太阳能电池的关键之一;两步...
[期刊论文] 作者:涂洁磊,陈庭金,章晨静,吴长树,施兆顺,
来源:太阳能学报 年份:2003
该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)...
[期刊论文] 作者:涂洁磊,陈庭金,章晨静,吴长树,施兆顺,
来源:太阳能学报 年份:2003
该文介绍以单晶Si为衬底,热壁外延制备适合作太阳电池的GaAs多晶薄膜.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构特性.并分析了各...
相关搜索: