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[期刊论文] 作者:农明涛,苗振林,梁智勇,周佐华,蔡炳杰,卢国军,林传强,张宇,, 来源:发光学报 年份:2015
以直流磁控反应溅射法(RMS)在图形化蓝宝石衬底上制备的AlN薄膜作为缓冲层,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)外延生长了GaN基LED。与MOCVD生长的低温GaN缓冲层相比,RMS制备...
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