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[学位论文] 作者:周少将, 来源:西安理工大学 年份:2011
4H-SiC材料具有很多优点,但其仅对紫外光有明显吸收,对可见光及红外光不敏感,使4H-SiC光电子器件在应用中受到很大的限制。利用异质结结构,采用窄带隙半导体作为4H-SiC器件的光吸......
[会议论文] 作者:曹琳,蒲红斌,周少将,胡永涛, 来源:中国电工技术学会电力电子学会第十二届学术年会 年份:2010
本文采用数值模拟的方法对4H-SiC 浮结肖特基势垒二极管的静态及动态特性进行了研究。该器件可以在保证高的反向耐压的同时使正向导通电阻最小化,较好的解决了常规器件正向导...
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