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[期刊论文] 作者：方方,郑时有,周广有,陈国荣,孙大林,,
来源：物理学报 年份：2008
采用电子束蒸发法沉积LaNi/Mg多层膜,再于350℃真空退火合金化的方法制备了厚度为375nm的LaMg2Ni合金薄膜.在吸、放氢过程中,该合金薄膜能够在高反射的金属态和透明的半导体...
[期刊论文] 作者：李永涛,周广有,郑时有,方方,孙大林,欧阳柳章,朱敏,,
来源：中国材料进展 年份：2009
配位氢化物具有较高的质量储氢密度,已成为国内外储氢材料的研究热点,但尚未解决的脱/加氢温度过高、速率慢和可逆性差等问题是制约其实际应用的主要原因。利用孔性材料的结...
[期刊论文] 作者：周广有,郑时有,方方,张晶,徐芬,孙立贤,陈国荣,孙大林,,
来源：化学学报 年份：2008
以TiF3和Ti（OBu-n）4为催化剂，研究了Ti离子掺杂对MgH2和Mg2NiH4放氢性能的影响，结果表明，未掺杂的MgH2起始放氢温度为420℃，掺杂TiR和Ti（OBu-n）4后分别降低到360和410℃；Mg2Nin4在掺杂...
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