搜索筛选:
搜索耗时0.0849秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 17 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：周桃飞,,
来源： 年份：2007
锰氧化物因其超大磁电阻效应在磁存储，磁传感器件，自旋阀，自旋晶体管等方面有着广泛的应用前景；而高质量薄膜样品的制备及其各种性质的探索和研究，对这类材料走向器件应用是至关重......
[期刊论文] 作者：王能语,周桃飞,李广,,
来源：低温物理学报 年份：2007
在5%Nb掺杂的SrTiO3衬底上用磁控溅射法外延生长了La1/aCa7/aMnO3薄膜形成异质结,该异质结有类似于传统P-n结的整流特性.磁场下扩散电压减小,当温度低于130 K以下,扩散电压的...
[期刊论文] 作者：崔苗,周桃飞,张锦平,黄小辉,,
来源：光学学报 年份：2011
利用扫描透射电子显微术(STEM)和变温光致发光光谱(PL)研究了In组分对InGaN/GaN蓝光LED的发光的影响。STEM发现两个样品量子阱结构相同,低温PL显示低In组分的样品的发光峰位...
[期刊论文] 作者：宋学萍,周桃飞,赵宗彦,孙兆奇,
来源：材料科学与工程学报 年份：2003
用直流溅射法在Si基片上制备了250nm厚的Al膜,并在不同退火温度下进行退火处理,用X射线衍射和光学干涉相位移法对薄膜的微结构及应力随退火温度的变化进行了研究.结构分析表...
[期刊论文] 作者：金鑫,王淼,周桃飞,曹冰,张桂菊,
来源：光学精密工程 年份：2018
为了实现可见光入射时亚波长尺度内的聚焦,设计了以氮化镓(GaN)纳米柱为基本晶胞的超透镜,该透镜能够改进传统成像系统的笨重低效,可应用于微型成像系统。超透镜表面由宽度渐...
[期刊论文] 作者：李昂, 王伟凡, 周桃飞, 王建峰, 徐科,,
来源：半导体技术 年份：2004
采用基于硝酸钾溶液的电化学刻蚀工艺,通过横向刻蚀牺牲层的方法,在金属有机化学气相沉积法生长的氮化镓（GaN）外延层上实现了纳米孔与纳米薄膜两种结构。通过扫描电子显微镜（SEM......
[期刊论文] 作者：陈春霞, 章建辉, 钱天, 周桃飞, 李慧玲,
来源：低温物理学报 年份：2005
研究了过渡金属元素掺杂对层状钙钛矿结构锰氧化物La1.2Ca1.8Mn2O7体系输运性质的影响.实验结果表明不同过渡金属离子掺杂均导致体系的金属-绝缘转变温度降低,电阻率与最大磁...
[期刊论文] 作者：陈春霞, 章建辉, 钱天, 周桃飞, 李慧玲,
来源：材料科学与工程学报 年份：2005
研究了Cu离子掺杂对层状钙钛矿结构锰氧化物La1.2Ca1.8Mn2O7电磁性能的影响.观察到低含量Cu掺杂样品铁磁性减弱,出现金属-绝缘转变与团簇玻璃态行为;高含量Cu掺杂样品为绝缘...
[会议论文] 作者：陈银娟,徐福兴,吴芳玲,周桃飞,丁传凡,
来源：中国化学会第22届全国色谱学术报告会 年份：2019
...
[会议论文] 作者：黄俊,周桃飞,曾雄辉,黄凯,王建峰,徐科,杨辉,
来源：第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会 年份：2010
GaN及其合金化合物(InGaN,AlGaN),由于具有独特的光学性质,因此在半导体照明(如LED)及半导体激光器(LD)上有着重要的应用。然而,目前的GaN材料及器件,主要是利用异质外延的方法生长,因此不可避免的与衬底之间存在晶格失配和热失配,从而导致大量位错的产生(往往......
[期刊论文] 作者：陈春霞,潘亚林,章建辉,钱天,周桃飞,李慧玲,
来源：低温物理学报 年份：2004
研究了Al和Sn离子掺杂对层状钙钛矿结构锰氧化物La1.2Ca1.8Mn2O7输运性质的影响.发现Al,Sn掺杂后样品电阻率增加,并且半导体导电区域电阻值与可变程跃迁导电模型符合得较好;...
[会议论文] 作者：郭洪英,张伟,孙元平,周桃飞,邱永鑫,张宝顺,徐科,杨辉,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
本文利用醋酸锌-KOH体系利用单步水热法合成了ZnO粉体结构.在保持其它生长条件一致的情况下,通过不同的生长时间得到了双六角盘状的ZnO晶体.XRD结果表明,合成的ZnO具有良好的...
[会议论文] 作者：黄俊,王建峰,徐科,张纪才,周桃飞,邱永鑫,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
...
[会议论文] 作者：黄俊,张纪才,周桃飞,邱永鑫,王建峰,徐科,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
...
[会议论文] 作者：张纪才,黄俊,周桃飞,李彬,任国强,王建峰,徐科,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
...
[会议论文] 作者：黄俊[1]周桃飞[1]曾雄辉[1]黄凯[1]王建峰[2]徐科[2]杨辉[1],
来源：第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会 年份：2010
GaN及其合金化合物(InGaN,AlGaN),由于具有独特的光学性质,因此在半导体照明(如LED)及半导体激光器(LD)上有着重要的应用。然而,目前的GaN材料及器件,主要是利用异质外延...
[会议论文] 作者：王荣新,杨辉,邢政,邱凯,张晓东,李晓伟,董健荣,路书龙,周桃飞,张宝顺,
来源：2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2010
太阳能电池作为绿色环保的可再生能源已成为人们的关注的焦点。如何提高电池转换效率是目前面临的主要研究难题之一。当太阳光照射在半导体材料表面时，其表面对入射太阳光......
相关搜索：
