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[学位论文] 作者：周潘兵,,
来源： 年份：2012
太阳能光伏发电是解决世界能源危机和环境污染的重要途径。目前硅晶太阳电池占据了光伏市场约88%的份额。硅晶材料的热改性指通过热处理或优化硅晶太阳电池制造中的热过程参...
[期刊论文] 作者：周潘兵,
来源：金属热处理 年份：2000
我厂生产的依维柯28024变速箱为引进产品,其设计合理,结构紧凑,只用一根叉轴就能实现5档变速功能。换档叉轴结构独特,技术要求高,采用常规的感应淬火工艺难以达到外方图纸技...
[期刊论文] 作者：周潘兵, 周浪,,
来源：太阳能学报 年份：2004
研究了加热温度与冷却速率对热处理铸造多晶硅少子寿命和间隙铁含量的影响。实验结果表明,铸造多晶硅在300~1050℃范围加热40min,以50℃/s的速率快冷至室温会提高硅片的间隙...
[期刊论文] 作者：周潘兵,周浪,
来源：材料热处理学报 年份：2005
以纯铁为对象,采用增重测量、X射线衍射分析和扫描电镜显微分析方法就充分预氧化对渗氮的作用进行研究.结果表明,渗氮初期,预氧化纯铁表面发生Fe3O4氧化层向ε-Fe3N相的转化;...
[期刊论文] 作者：周潘兵, 柯航, 周浪,,
来源：材料热处理学报 年份：2012
研究了加热温度与冷却速率对热处理直拉单晶硅少子寿命和间隙铁含量的影响。结果表明,直拉单晶硅在300～1050℃加热40 min,以50℃/s的速率快冷至室温会提高硅片的间隙铁含量,降...
[期刊论文] 作者：周潘兵,李亚东,周浪,,
来源：太阳能学报 年份：2013
研究退火消除直拉单晶硅中热施主的效果以及在后续热过程中热施主的再形成规律。实验结果显示,采用650℃保温40min的退火可有效消除直拉单晶硅锭肩下部形成的热施主,并使其少...
[期刊论文] 作者：周潘兵,周浪,陈忠博,,
来源：金属热处理 年份：2007
采用金相分析、显微硬度测试和防锈性湿热试验等方法对比研究了W6Mo5Cr4V2高速钢经氧氮共渗和渗氮后氧化处理的组织与性能。结果表明,W6Mo5Cr4V2高速钢经氧氮共渗和渗氮后氧...
[会议论文] 作者：姜美芳;周潘兵;周浪;,
来源：第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2012
由于生产效率的要求,以及产线设备之昂贵,硅片太阳电池生产过程中一般不能有足够的时间使材料得到充分的在线热优化.我们尝试对普通硅片太阳电池进行了较系统的离线退火...
[期刊论文] 作者：周潘兵, 周浪, 万立皓, 钟山, 严明明,,
来源：金属热处理 年份：2006
采用质量增量分析、剖面金相分析和显微硬度测量等方法研究了预喷丸处理对H13钢气体渗氮动力学与渗氮层性能的影响。结果表明,预喷丸处理对H13钢气体渗氮有明显的催渗作用,这...
[期刊论文] 作者：钟根香,周浪,周潘兵,万跃鹏,,
来源：材料导报 年份：2008
多晶硅是目前最主要的光伏材料，其结晶组织、缺陷和杂质含量显著影响太阳能电池的转换效率。通过控制硅锭定向凝固过程获得取向一致、粗大均一的结晶组织和采用各种吸杂及钝化......
[期刊论文] 作者：周潘兵, 龚洪勇, 陈泽文, 汤斌兵, 周浪,,
来源：太阳能学报 年份：2012
实验结果显示,铸造多晶硅经1350℃加热1h后在高达10℃/s的速率下冷却仍会产生氧沉淀和热施主,生成氧沉淀的量和热施主的浓度在0.017～10℃/s范围内随冷却速率的增大而减少;与等...
[期刊论文] 作者：颜颉颃,彭继霆,周浪,周潘兵,杜国平,苏文华,,
来源：南昌大学学报(理科版) 年份：2008
对冶金级硅的物理提纯因可望成为低成本太阳能级硅生产技术而受到各国高度关注。利用硅中杂质的表面吸附偏聚，对冶金级硅粉进行酸洗去吸附除杂。并尝试在此后进行高温退火以再......
[会议论文] 作者：周浪,周耐根,林茂华,周潘兵,方海生,王森,
来源：第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) 年份：2012
本文报告我们对定向凝固生长多晶硅冷却过程中热应力演变与位错形成的分析,提出一种硅晶体中位错增殖累积的热力积分估算模型,并公开一种定向凝固生长多晶硅锭冷却过程的优化方案－它具有显著降低硅锭中位错密度,同时缩短工时、降低能耗和气耗的潜在优势.文中采用......
[会议论文] 作者：黄海宾,韩宇哲,岳之浩,周浪,周潘兵,袁向东,黄英明,
来源：2015第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2015
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[会议论文] 作者：岳之浩,黄海宾,周潘兵,韩宇哲,周浪,袁向东,黄英明,
来源：2015第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2015
技术概述直接适用于太阳电池片成品,无需附加处理在一定温度、辐照、气氛条件下短时处理能量转换效率平均绝对提高0.1 ％～0.2 ％;最大提高0.3 ％～0.4 ％....
[期刊论文] 作者：辛超,周剑,周潘兵,魏秀琴,周浪,张运锋,张美霞,,
来源：半导体技术 年份：2011
对铸造多晶硅片进行了1 000~1 400℃的高温退火和不同方式冷却实验,用显微观察法对退火硅片及其相邻姊妹片位错密度进行了测量统计。研究了退火温度和冷却方式对铸造多晶硅片...
[期刊论文] 作者：周剑,辛超,魏秀琴,周潘兵,周浪,张运锋,张美霞,,
来源：太阳能学报 年份：2013
对抛光液新旧程度、抛光时间、抛光腐蚀深度等条件对多晶硅片抛光与位错刻蚀显示效果的影响进行实验研究。发现多晶硅片抛光效果与抛光时间无直接对应关系,而取决于抛光腐蚀...
[会议论文] 作者：周浪[1]周耐根[1]林茂华[1]周潘兵[1]方海生[2]王森[2],
来源：第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) 年份：2012
本文报告我们对定向凝固生长多晶硅冷却过程中热应力演变与位错形成的分析,提出一种硅晶体中位错增殖累积的热力积分估算模型,并公开一种定向凝固生长多晶硅锭冷却过程的优化...
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