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[学位论文] 作者：唐亚超,,
来源：电子科技大学 年份：2016
碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)由于其更低的导通电阻、更高的反向耐压、更快的开关速度,使得其在电力电子领域具有非常广阔的应用前景。目前,国外已经...
[期刊论文] 作者：何钧,唐亚超,赵群,,
来源：新材料产业 年份：2016
新一代宽禁带半导体材料由于具有优异的潜在材料性能,在功率器件中得到了广泛应用,十几年来一直是电力电子领域的研发热点。其中碳化硅(SiC)功率器件的技术成熟度最高,几...
[期刊论文] 作者：邓小川,陈茜茜,王弋宇,申华军,唐亚超,高云斌,,
来源：大功率变流技术 年份：2016
高温可靠性是目前限制SiC MOSFET晶体管高温应用的关键问题之一。本文介绍了基于国内碳化硅器件工艺平台研制的1 200 V SiC MOSFET器件的直流特性,并通过高温栅偏(HTGB)和高...
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