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[学位论文] 作者：唐侠侠,
来源： 年份：2016
SiC属于第三代宽带隙半导体材料,具有热稳定性高、化学稳定性好、临界击穿电场高、电子饱和迁移率大等优良特性。相比于SiC体材料,其纳米材料不仅有拥有其体材料的本征特性,而且还兼具纳米材料的诸多优异性能,例如尺寸效应、界面效应和宏观量子隧道效应等,因而S......
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