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[会议论文] 作者：国红熙,孙殿照,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：袁瑞霞, 阎春辉, 国红熙, 李晓兵, 朱世荣, 曾一平, 李灵,
来源：半导体学报 年份：1996
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[期刊论文] 作者：孙殿照,王晓亮,李晓兵,国红熙,阎春辉,李建平,朱世荣,李灵,
来源：半导体学报 年份：1995
在国产第一台ＣＢＥ设备上，用ＧＳＭＢＥ技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料，并用双晶Ｘ－射线衍射技术对样品......
[期刊论文] 作者：孙殿照,阎春辉,国红熙,朱世荣,黄运衡,曾一平,孔梅影,,
来源：半导体情报 年份：1991
在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10~(15)cm~(-3),μ_(300K)=280cm~2...
[期刊论文] 作者：孙殿照，王晓亮，李晓兵，国红熙，阎春辉，李建平，朱世荣，李灵霄，,
来源：半导体学报 年份：1995
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[期刊论文] 作者：刘尧,肖绪瑞,李学萍,阎春辉,曾一平,孙殿照,郑海群,国红熙,
来源：科学通报 年份：1994
近年来,在半导体光电化学领域中,半导体超晶格(量子阱)材料作为一种新型的光电极的研究已引起人们广泛的注意和重视.由于半导体超晶格(量子阱)能带的量子化,因此具有许多完全...
[期刊论文] 作者：袁瑞霞,阎春辉,国红熙,李晓兵,朱世荣,曾一平,李灵霄,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1996
本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．......
[期刊论文] 作者：孙殿照,王晓亮,李晓兵,国红熙,阎春辉,李建平,朱世荣,李灵霄,曾一平,孔梅影,侯洵,
来源：半导体学报 年份：1995
在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料，并用双晶Ｘ－射线衍射技术对样品......
[期刊论文] 作者：孙殿照,孔梅影,韩汝水,朱世荣,阎春辉,国红熙,付首清,周增圻,张晓秋,黄运衡,谢琪,刘世闯,雷震林,张利强,余文斌,乔金梁,,
来源：半导体情报 年份：1991
研制了国内首台化学束外延(CBE)系统。半导体所用此系统进行了CBE实验,获得质量良好的半导体材料。本文给出该系统的设计考虑及CBE实验结果。Developed the first chemical...
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