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[期刊论文] 作者:胡连军,刘建军,潘国峰,曹静伟,夏荣阳, 来源:材料导报 年份:2022
当技术节点降低至32 nm及以下时,为了缓解电阻-电容(RC)延迟导致的铜(Cu)互连器件可靠性差的问题,急需寻找新的阻挡层材料.与钽(Ta)相比,钴(Co)具有更低的电阻率、更小的硬度、与Cu更好的粘附性、在高纵横比沟槽中能实现保形沉积等优点.因此,Co成为取代Ta的有前......
[期刊论文] 作者:王昊, 黄浩真, 曹静伟, 夏荣阳, 潘国峰, 来源:电子元件与材料 年份:2022
为了提高钴互连集成电路钴膜化学机械平坦化(CMP)中钴的去除速率以及Co/TiN去除速率选择性,研究了氨基三甲叉膦酸(ATMP)作为络合剂,在钴互连集成电路钴膜CMP中的作用机理。通过CMP、电化学、X射线电子光谱等实验探究了ATMP的络合性能,采用X射线电子光谱以及密度泛函理......
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