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[期刊论文] 作者：夏贯芳 刘廷禹 严非男 等,
来源：光学仪器 年份：2015
摘要： 基于密度泛函理论，GGAPBE交换相关势研究了含氧空位和氧填隙的Lu2SiO5（LSO）晶体的电子结构。详细讨论电子态密度，分析了含氧空位的LGO晶体的电子态密度，结果显示，在禁带中出现了一个新的态密度分布，VO5能产生一个吸收带，该吸收带位于400～500 nm之间。 关键词： 第......
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