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[期刊论文] 作者：大石基之,,
来源：电子设计应用 年份：2006
目前可以低价格试制5个￣100个少量芯片的服务,即“ShuttleService”,受到了大家的关注。事实上,大型的晶圆代工厂,及一些可以提供高性能芯片的大型半导体厂商都相继推出了该项...
[期刊论文] 作者：大石基之,
来源：电子设计应用 年份：2006
2006年6月13日～17日，半导体制造／设计技术国际会议“超大规模集成电路会议（Symposium on VLSI Technology／Circuits）”在美国的檀香山隆重召开。本次会议的中心议题主要集中在解决...
[期刊论文] 作者：大石基之,,
来源：电子设计应用 年份：2010
【正】全球半导体业自2008年秋遭受金融风暴步入衰退,所幸2009年初迅即触底,此后明显出现复苏迹象,市场反弹,公司业绩纷纷飘红。在辞旧迎新之际,业界一致看好新的一年市场可...
[期刊论文] 作者：大石基之,
来源：电子设计应用 年份：2006
目前可以低价格试制5个～100个少量芯片的服务，即“Shuttle Service”，受到了大家的关注。事实上，大型的晶圆代工厂，及一些可以提供高性能芯片的大型半导体厂商都相继推出了该项服......
[期刊论文] 作者：大石基之,
来源：电子设计应用 年份：2006
与芯片及电子设备设计自动化相关的国际会议“第43届设计自动化大会（DAC）”于2006年7月24日-28日在美国洛杉矶隆重召开。与会人数超过了11000人，是近5年来最多的一次，参展商多达2......
[期刊论文] 作者：大石基之,
来源：电子设计应用 年份：2008
从“英国研究所”变身为“世界研究所”在《财富》杂志评选的2008年世界500强中，IBM公司排名第15位，在IT行业内是仅次于AT＆T和HP的全球第3大企业，其业务活动遍及170多个国家及地...
[期刊论文] 作者：大石基之,
来源：电子设计应用 年份：2008
DRAM价格正在暴跌。512Mb的DDR2 SDRAM的批发价在一年之间已经跌到原来的1／3～1／5。这对于设备生产商非常有利，因为他们能够在低价产品中集成更大容量的内存。...
[期刊论文] 作者：大石基之,,
来源：电子设计应用 年份：2004
采用65nm制造LSI时,电流将难以控制地大量泄漏出来,这种警告之声越来越高.问题的是,这些电流并不是LSI工作所需的电流,即使在LSI不工作的情况下,也会出现漏电流.LSI工作频率...
[期刊论文] 作者：大石基之,,
来源：电子设计应用 年份：2008
DRAM价格正在暴跌.512Mb的DDR2 SDRAM的批发价在一年之间已经跌到原来的1/3～1/5.这对于设备生产商非常有利,因为他们能够在低价产品中集成更大容量的内存....
[期刊论文] 作者：大石基之,
来源：现代电子技术 年份：2002
日立制作所和三菱电机日前达成初步意向 ,将探讨除内存以外的所有半导体业务的合并事宜。由此 ,微型计算机、逻辑 LSI、模拟 IC等将成为两公司合并的对象。双方计划在 1年以...
[期刊论文] 作者：大石基之,草木,,
来源：电子设计应用 年份：2008
5大集团整合为4大集团2008年4月下旬,全球DRAM行业卷起一股强烈的整合风暴。占有全球DRAM市场14.1%份额的第三大企业——Elpida公司和占有10.5%市场份额的第五大企业——奇梦...
[期刊论文] 作者：大石基之,草木,,
来源：电子设计应用 年份：2008
从“美国研究所”变身为“世界研究所”在《财富》杂志评选的2008年世界500强中,IBM公司排名第15位,在IT行业内是仅次于AT&T和HP的全球第3大企业,其业务活动遍及170多个国家...
[期刊论文] 作者：大石基之, 南庭,,
来源：电子设计应用 年份：2004
DRAM价格正在暴跌。512Mb的DDR2 SDRAM的批发价在一年之间已经跌到原来的1/3～1/5。这对于设备生产商非常有利,因为他们能够在低价产品中集成更大容量的内存。到目前为此,D...
[期刊论文] 作者：大石基之,草木（编译）,
来源：电子设计应用 年份：2008
2008年4月下旬，全球DRAM行业卷起一股强烈的整合风暴。占有全球DRAM市场14．1％份额的第三大企业——ElPida公司和占有10．5％市场份额的第五大企业——奇梦达公司发表了技术合作的声......
[期刊论文] 作者：大石基之,陶琦,
来源：电子设计应用 年份：2005
SoC的开发周期在不久的将来会大幅缩短.业界的整机厂商和半导体厂商开始加速采用以C语言为基础的软硬件协同验证的SoC开发方法(见图1).NEC电子、索尼等领先公司在这方面已经...
[期刊论文] 作者：大石基之,那凡,,
来源：电子设计应用 年份：2007
日本某半导体厂商表示:“对于65nm的逻辑芯片来说,如果仅依靠工艺技术的进步,无论怎样努力,也不可能将功耗降低到顾客满意的水平.因此,要降低功耗,只有从电路技术、结构技术...
[期刊论文] 作者：大石基之,林咏,,
来源：电子设计应用 年份：2007
“基于30nm级工艺的64Gb闪存有望在近期内实现。而且,现有的单元结构有可能不加修改地发展到20nm级。之后,只需要将存储单元以三维形式叠加起来,就可以”The 64-Gbit flash...
[期刊论文] 作者：大石基之,林咏,,
来源：电子设计应用 年份：2007
FRAM(铁电存储器)、MRAM(磁阻存储器)和PRAM(相变存储器)等非易失性RAM相继上市,它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非易失性(见图1).这类存储器产品的写入时间很...
[期刊论文] 作者：大石基之,南庭,,
来源：电子设计应用 年份：2007
目前,NAND闪存的批量价格为6.3美元/GB～8.5美元/GB.在此基础上,如果今后存储器生产厂商能够按照每年50%的速度降低闪存价格,到2010年,100GB NAND闪存的价格将会达到1万日元(约...
[期刊论文] 作者：大石基之,南庭,,
来源：电子设计应用 年份：2007
到2010年,大多数电子产品中几十GB～100 GB的外部存储器都会采用NAND闪存.目前使用容量为几十GB的1.8英寸HDD的设备在近一两年内将会逐渐转向闪存....
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