搜索筛选:
搜索耗时0.0477秒,为你在为你在56,186,000篇论文里面共找到 4 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：莫敏·赛来,奥布力喀斯木·祖农,普拉提·艾合买提,,
来源：电子测试 年份：2018
Ga(In)AsN材料是一种新颖的半导体材料,对其进行适当的n型掺杂后其能带可调,宽度可调范围为0.8-1.4 eV,并且与Ge、GaAs衬底材料晶格匹配.这种独特的性能为新型光电器件的研发...
[期刊论文] 作者：皇环环, 刘静, 王倩, 李梦晓, 奥布力喀斯木·祖农, 戴,
来源：原子与分子物理学报 年份：2019
利用YAG激光器泵浦OPO激光简并受激超拉曼泵浦DBr分子至基电子态的高振动态v″=8、7,研究高振动态DBr分子与其他碰撞气体（Ar、D2）的碰撞弛豫过程.对于DBr（v″=8）和Ar、D2混合体系...
[期刊论文] 作者：尼亚孜艾力·努拉合买提, 刘静, 奥布力喀斯木·祖, 戴康,,
来源：原子与分子物理学报 年份：2018
利用原子吸收及谱线增宽方法测量了Rb-N2（He）蒸气室中的气体压强.对Rb-N2（He）蒸气室中的气体渗漏进行了检测,实验发现:对N2气几乎观察不到明显的渗漏现象.对于Rb-He950torr的高压...
[期刊论文] 作者：阿拜·艾力哈孜,奥布力喀斯木·祖,伊丽米然木·肉,尼亚孜艾力,
来源：新疆大学学报（自然科学版） 年份：2004
激光诱导击穿光谱技术获得了A1薄片的时间分辨等离子体发射光谱.对同等压强Ar、He、N2和空气环境下采集的离子体光谱进行对比发现,Ar气体环境下得到的A1原子特征谱线强度最强...
相关搜索：
