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[期刊论文] 作者：姚昌胜,付凯,王果,陆敏,
来源：核电子学与探测技术 年份：2011
利用先进的半导体微加工技术制备了GaN基光导型X射线探测器,观察到其在荧光灯照射下对X射线的光电流响应有明显降低的光淬灭现象,以及在荧光灯关闭和开启瞬间电流值的突变现...
[期刊论文] 作者：袁愿林,姚昌胜,王果,陆敏,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2012
成功地制备了有SiO2钝化层和无SiO2钝化层的GaN基PIN结构核辐射探测器,并对二者的I-V特性进行了测试。实验结果表明,SiO2钝化层的存在显著地降低了GaN基PIN结构核辐射探测器...
[期刊论文] 作者：王果,付凯,姚昌胜,王金延,陆敏,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
使用自支撑GaN基材料制备了Schottky结构核辐射探测器，研究了探测器不同偏压扫描下的I-V特性。偏压从零偏向正偏扫描和从正偏向零偏扫描的I-V特性曲线并不重合；偏压从零偏向反...
[期刊论文] 作者：王果,付凯,姚昌胜,王金延,陆敏,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
使用自支撑GaN基材料制备了Schottky结构核辐射探测器,研究了探测器不同偏压扫描下的Ⅰ-Ⅴ特性.偏压从零偏向正偏扫描和从正偏向零偏扫描的Ⅰ-Ⅴ特性曲线并不重合；偏压从零偏...
[期刊论文] 作者：苏丹,张国光,陆敏,姚昌胜,赵潇,丰树强,
来源：原子能科学技术 年份：2013
GaN作为第3代半导体材料,具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度大、抗辐射能力强等特点。制备了GaN半导体探测器,并应用该探测器对241 Amα粒子能谱进行测量,得到α粒子能谱的能...
[期刊论文] 作者：苏丹,张国光,陆敏,姚昌胜,丰树强,赵潇,,
来源：中国原子能科学研究院年报 年份：2011
本工作重点对GaN半导体探测器(图1)进行了一系列的性能测试,包括探测器的V-I曲线、C-V曲线、241Am-α能谱(图2)、探测效率等。得到探测器的能量分辨率约27%,探测效率最高可达...
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