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[期刊论文] 作者：孙仲豪,
来源：导热油锅炉技术 年份：1991
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[期刊论文] 作者：孙仲豪,,
来源：少年文艺 年份：2018
用妈妈的话说,我的学习成绩像开过山车一样,特别不稳定,说穿了,也就是基础不牢.妈妈也常常叹息说:“我跟你爸智商都不低,以你目前的成绩,应该还有上升的空间的.”rn我也知道...
[学位论文] 作者：孙仲豪,
来源：大连理工大学 年份：2023
现阶段,全球范围内的电能转换损耗巨大,以硅基材料为主的功率器件难以满足社会发展需求。而第三代半导体材料氮化镓（GaN）凭借其较大的禁带宽度与较高的临界击穿电场等优良特性,迅速成为功率半导体领域的研究热点。近年来,随着发光二极管和射频产业的飞速发展,GaN......
[期刊论文] 作者：孙仲豪, 代建勋, 孙楠, 王荣华, 黄火林,
来源：中国电机工程学报 年份：2020
GaN材料因其优秀的物理特性受到越来越多研究者的青睐，但常关型GaN基HEMT技术发展尚处于初级阶段。本文的研究对象是薄势垒常关型HEMT，该类器件可以很大程度地降低栅极区域的刻蚀损伤，因此在未来的电力电子市场中极具潜力。本文工作中制备了基于SiON/Al2O3叠层栅介......
[期刊论文] 作者：曹亚庆, 黄火林, 孙仲豪, 李飞雨, 白洪亮, 张卉, 孙,
来源：物理学报 年份：2004
目前市场主流的窄禁带材料霍尔磁场传感器主要工作在室温或低温环境,而新型的宽禁带GaN材料霍尔传感器虽然适用于高温,但器件结构主要是水平型,受制于异质结界面过高的纵向电...
[期刊论文] 作者：曹亚庆,黄火林,孙仲豪,李飞雨,白洪亮,张卉,孙楠,
来源：物理学报 年份：2019
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[期刊论文] 作者：曹亚庆,黄火林,孙仲豪,李飞雨,白洪亮,张卉,孙楠,Yung,
来源：物理学报 年份：2019
目前市场主流的窄禁带材料霍尔磁场传感器主要工作在室温或低温环境,而新型的宽禁带GaN材料霍尔传感器虽然适用于高温,但器件结构主要是水平型,受制于异质结界面过高的纵向电...
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