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[会议论文] 作者：孙浩[1]孙晓玮[1]齐鸣[1]王伟[2]艾立鹍[1]滕腾[2]李凌云[1]钱蓉[1]徐安怀[1]朱福英[1]田彤[1],
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
利用气态源分子束外延生长的InAlAs/InGaAs/InP HEMT 结构上制备出了InP基肖特基二极管器件,器件开启电压为0.1V,理想因子1.94,具有较小的肖特基势垒0.356eV。在室温下对不同...
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